onsemi Moduli ibridi Si/SiC NXH240B120H3Q1x1G
I moduli di potenza ibridi integrati (PIM) Si/SiC NXH240B120H3Q1x1G di Onsemi contengono un modulo IGBT + SiC Boost a tre canali da 1200 V e un termistore NTC. Ogni canale è composto da un IGBT a commutazione rapida da 80 A, un diodo SiC da 30 A, un diodo di bypass e un diodo di protezione IGBT.Gli IGBT Field Stop integrati e i diodi SiC riducono le perdite di conduzione e di commutazione, consentendo un'elevata efficienza e un'affidabilità superiore.
Caratteristiche
- IGBT Ultra Field Stop da 1200 V
- Diodi SiC a basso recupero inverso e a commutazione rapida
- Layout a bassa induttività
- Pin a pressione/pin per saldatura
- Termistore.
Applicazioni
- Convertitori solari
- Screening dello Stress ambientale (ESS)
Specifiche
- IGBT (T11, T21, T31)
- Tensione massima collettore-emettitore: 1200 V
- Tensione massima gate-emettitore: ±20 V
- Corrente continua massima collettore: 92 A
- Corrente a impulsi massima collettore: 276 A
- Dissipazione di potenza massima: 266 W
- Diodo di protezione (D11, D21, D31)
- Tensione inversa ripetitiva di picco massima: 1200 V
- Corrente diretta continua massima: 41 A
- Corrente diretta ripetitiva di picco massima: 123 A
- Dissipazione di potenza massima: 54 W
- Tensione massima di prova di isolamento: 3000VRMS
- Distanza di dispersione massima: 12,7 mm
- Diodo boost in carburo di silicio (D12, D22, D32)
- Tensione inversa ripetitiva di picco massima: 1200 V
- Corrente diretta continua massima: 37 A
- Corrente diretta ripetitiva di picco massima: 111 A
- Dissipazione di potenza massima: 99 W
- Diodo di bypass (D13, D23, D33)
- Tensione inversa ripetitiva di picco massima: 1200 V
- Corrente diretta continua massima: 54 A
- Corrente diretta ripetitiva di picco massima: 162 A
- Dissipazione di potenza massima: 64 W
- Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a +150 °C
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Pubblicato: 2024-01-26
| Aggiornato: 2024-06-18