onsemi Modulo SiC NXH020P120MNF1
Il modulo SIC NXH020P120MNF1 onsemi contiene un semiponte MOSFET SIC 1200 V 20Mohm e un termistore NTC in un modulo F1. Il modulo ha una tensione di gate consigliata compresa tra 18 V e 20 V. Il NXH020P120MNF1 presenta un RDS (ON) migliorato a tensione più elevata e bassa resistenza termica.
Caratteristiche
- Tensione di gate consigliata 18 V - 20 V
- RDS(ON) migliorato a una tensione più elevata
- Bassa resistenza termica
- Maggiore efficienza o maggiore densità di potenza
- Opzioni per TIM o no TIM
- Soluzione flessibile per interfaccia termica ad alta affidabilità
Applicazioni
- Conversione CA-CC
- Conversione CC-CA
- Conversione CC-CC
Diagramma schematico
Maggiori informazioni su EliteSiC
onsemi EliteSiC
Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.
Pubblicato: 2022-05-11
| Aggiornato: 2024-06-18