onsemi Modulo SiC NXH010P120MNF1
Il modulo SIC NXH010P120MNF1 di onsemi contiene un semiponte MOSFET SIC 1200 V 10Mohm e un termistore NTC in un modulo F1. Il modulo presenta una tensione di gate consigliata di 18-20V. Il modulo NXH010P120MNF1 presenta una RDS(ON) migliorata a una tensione più elevata e una bassa resistenza termica.
Caratteristiche
- Tensione di gate consigliata 18 V - 20 V
- RDS(ON) migliorato a una tensione più elevata
- Bassa resistenza termica
- Maggiore efficienza o maggiore densità di potenza
- Opzioni per TIM o no TIM
- Soluzione flessibile per interfaccia termica ad alta affidabilità
Applicazioni
- Conversione CA-CC
- Conversione CC-CA
- Conversione CC-CC
Diagramma schematico
Modulo correlato
onsemi Moduli al carburo di silicio (SiC) NXH0xxP120M3F1
Contiene MOSFET 8 mΩ, 10 mΩ, 15 mΩ e 30 mΩ/ 1200 V M3S basati sulla topologia a mezzo ponte.
Maggiori informazioni su EliteSiC
onsemi EliteSiC
Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.
Pubblicato: 2022-05-11
| Aggiornato: 2024-07-31