onsemi Moduli a semiponte ELITIESIC NXH00xP120M3F2PTxG
I moduli a semiponte EliteSiC NXH00xP120M3F2PTxG di onsemi sono moduli 2-pack con due interruttori MOSFET SIC da 3 mΩ o 4 mΩ 1200 V e un termistore con Zirconia Doped Alumina (HPS) a legame diretto (DBC) o DBC al nitruro di silicio (Si3N4). Gli interruttori MOSFET SIC in package F2 utilizzano la tecnologia M3S e presentano un intervallo di gate drive da 15 V a 18 V. Le applicazioni includono conversioni CC-CA, CC-CC e CA-CC.Caratteristiche
- Semiponti MOSFET SIC M3S 3 mΩ o 4 mΩ, 1200 V
- Opzioni di package F2
- Rame Zirconia Doped Alumina (HPS) Direct Bonded (DBC)
- Rame direct bonded (DBC) al nitruro di silicio (Si3N4)
- Intervallo di gate drive da 15 V a 18 V
- Termistore.
- Materiale di interfaccia termica preapplicato (TIM)
- Pin montati a pressione
- Senza piombo, conformi a RoHS e senza alogeni
Applicazioni
- Convertitori solari
- Gruppi di continuità (UPS)
- Stazioni di ricarica per veicoli elettrici (EV)
- Alimentazione industriale
Scheda dati
- MOSFET M3 SIC, EliteSiC, da 3 mΩ 1200 V, topologia a semiponte 2-pack
- NXH003P120M3F2PTHG, package F2 con HPS DBC
- NXH003P120M3F2PTNG, package F2 con Si3N4 DBC
- MOSFET M3 SIC, EliteSiC, 4 mΩ 1200 V, topologia a semiponte 2-pack
- NXH004P120M3F2PTHG, package F2 con HPS DBC
- NXH004P120M3F2PTNG, package F2 con Si3N4 DBC
Schematico
Collegamenti pin
Pubblicato: 2023-11-20
| Aggiornato: 2024-06-18
