onsemi Modulo in carburo di silicio (SiC) NVXK2TR40WXT
Il modulo in carburo di silicio (SiC) Onsemi NVXK2TR40WXT è un modulo di potenza EliteSiC a doppio semiponte 1.200 V, 40mΩ e 27 A alloggiato in un package APM32 Dual Inline Package (DIP). Questo modulo SiC è progettato in modo compatto per avere una resistenza totale del modulo ridotta. Il modulo di potenza NVXK2TR40WXT è conforme alle normative automobilistiche per AEC-Q101 e AQG324. Questo modulo di potenza è conforme alle normative RoHS e UL94V-0 e non contiene piombo. Il modulo di potenza MOSFET EliteSiC NVXK2TR40WXT è ideale per essere utilizzato nei convertitori CC-CC e nei caricatori di bordo nelle applicazioni xEV.
Caratteristiche
- Modulo di potenza doppio a mezzo ponte in carburo di silicio (SiC) DIP
- Tensione drain-source di 1200 V (VDSS)
- Corrente di drain continua 27 A (ID)
- Resistenza in conduzione drain-source 40 mΩ (tipica) (RDS(ON))
- Intervallo di temperatura di esercizio della giunzione (TJ) da -55 °C a 175 °C
- Dispersione e distanza secondo IEC60664-1 e IEC 60950-1
- Design compatto per una bassa resistenza totale del modulo
- Serializzazione del modulo per una tracciabilità completa
- Senza piombo
- Conforme a RoHS e UL94V-0
- Omologati per il settore automobilistico secondo AEC-Q101 e AQG324
Applicazioni
- Caricatore HV CC/CC e integrato per EV-PHEV
- Caricatore a bordo da 11 kW a 22 kW per EV-PHEV
Modulo a semiponte MOSFET SiC
Moduli correlati
onsemi Modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2TR80WDT
Modulo di potenza EliteSiC a mezzo ponte doppio, 1200 V, 80 mΩ e 20 A, alloggiato in un package a doppia linea (DIP).
onsemi Modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2PR80WXT2
Modulo di potenza a ponte completo 1200 V, 80 mΩ e 31 A, alloggiato in un package in linea doppio (DIP) A.
onsemi Modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR40WXT2
Modulo di potenza a ponte trifase 1200 V, 40 mΩ e 55 A, alloggiato in un package in linea doppio (DIP) .
onsemi Moduli al carburo di silicio (SiC) NVXK2VR80WxT2
Moduli di potenza a ponte trifase da 1200 V, 80 mΩ, alloggiati in un contenitore Dual Inline Package (DIP).
Pubblicato: 2024-08-02
| Aggiornato: 2026-04-20