NVXK2TR80WDT

onsemi
863-NVXK2TR80WDT
NVXK2TR80WDT

Produttore:

Descrizione:
Moduli MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: Moduli MOSFET
RoHS::  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 40 C
+ 175 C
82 W
NVXK2TR80WDT
Tube
Marchio: onsemi
Configurazione: Dual Half-Bridge
Tempo di caduta: 9 ns
Altezza: 5.8 mm
Lunghezza: 44.2 mm
Tipo di prodotto: MOSFET Modules
Tempo di salita: 12 ns
Quantità colli di fabbrica: 60
Sottocategoria: Discrete and Power Modules
Nome commerciale: EliteSiC
Tipo: Half-Bridge
Tipico ritardo di accensione: 12 ns
Larghezza: 29 mm
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Attributi selezionati: 0

Codici di conformità
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2TR80WDT

Il modulo al carburo di silicio (SiC) NVXK2TR80WDT di onsemi è un modulo di potenza EliteSiC a mezzo ponte doppio da 1200 V, 80 mΩ e 20 A alloggiato in un doppio package in linea (DIP) APM32. Questo modulo SiC è progettato in modo compatto per avere una bassa resistenza totale del modulo. Il modulo di alimentazione NVXK2TR80WDT è qualificato   per il settore automobilistico secondo le norme AEC-Q101 e AQG324. Questo modulo di alimentazione è senza piombo, conforme a RoHS e UL94V-0. Il modulo MOSFET EliteSiC NVXK2TR80WDT è ideale per i caricatori HV CC-CC e integrati nelle applicazioni xEV.

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Prezzo esteso:
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Stima Tariffa:

Prezzi (EUR)

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Prezzo esteso
42,30 € 42,30 €
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