onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

Il MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL di onsemi è progettato per design compatti ed efficienti, caratterizzato da elevate prestazioni termiche. Questo MOSFET a canale N offre un'opzione con fianchi bagnabili per un'ispezione ottica migliorata. Il MOSFET NVMFD5877NL presenta una bassa resistenza allo stato ON per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa capacità per minimizzare le perdite del driver. Questo MOSFET a canale N è qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP. Il MOSFET NVMFD5877NL è adatto per applicazioni del settore automobilistico come driver per solenoidi e driver di lato basso/lato alto (low-side/high side)

Caratteristiche

  • Bassa resistenza allo stato ON per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Opzione con fianchi bagnabili per un'ispezione ottica migliorata
  • Qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP
  • Senza piombo e senza alogeni
  • Conformità a RoHS

Applicazioni

  • Driver per solenoidi
  • Driver di lato basso/lato alto (low-side/high-side)

A canale N doppio

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL
Pubblicato: 2025-11-07 | Aggiornato: 2025-12-19