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NVMFD5877NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFD5877NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FD5877NLWFT1G-UM
Price: 1.59 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-FD5877NLWFT1G-UM

N. produttore:

NVMFD5877NLWFT1G-UM

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

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Scheda dati:

NVMFD5877NLWFT1G-UM Scheda dati

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	17 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	39 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3 V
Qg - Carica del gate:	11 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	23 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	3.9 ns
Transconduttanza diretta - Min:	7 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	15.8 ns
Serie:	NVMFD5877NL
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	11.8 ns
Tipico ritardo di accensione:	8.1 ns

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Scheda dati

NVMFD5877NLWFT1G-UM Scheda dati

Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Malesia
Paese di origine dell'assemblaggio:: Malesia
Paese di diffusione:: Taiwan

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

Il MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL di onsemi è progettato per design compatti ed efficienti, caratterizzato da elevate prestazioni termiche. Questo MOSFET a canale N offre un'opzione con fianchi bagnabili per un'ispezione ottica migliorata. Il MOSFET NVMFD5877NL presenta una bassa resistenza allo stato ON per ridurre al minimo le perdite di conduzione e una bassa capacità per minimizzare le perdite del driver. Questo MOSFET a canale N è qualificato AEC-Q101 e con capacità PPAP. Il MOSFET NVMFD5877NL è adatto per applicazioni del settore automobilistico come driver per solenoidi e driver di lato basso/lato alto (low-side/high side)

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NVMFD5877NLWFT1G-UM

Produttore: onsemi

Descrizione: MOSFET NFET DFN8 60V 17A 39MOHM

Caratteristiche tecniche

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