onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

I MOSFET a canale N singolo NVD6824NL di onsemi offrono una bassa RDS_(on) , per ridurre al minimo le perdite di conduzione, e un'elevata capacità di corrente. Questi MOSFET presentano una tensione drain-to-source di 100 V, una resistenza massima drain-to-source allo stato ON di 20 mΩ e una corrente di drain continua di 41 A. I MOSFET NVD6824NL sono qualificati AEC-Q101 e idonei alle procedure PPAP. Questi MOSFET sono indicati per l'energia di valanga. I MOSFET NVD6824NL sono senza piombo e privi di alogeni/BFR e sono conformi alla direttiva RoHS. Questi MOSFET sono adatti per applicazioni automobilistiche come driver per solenoidi e boost switch.