MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

I MOSFET a canale N singolo NVD6824NL di onsemi offrono una bassa RDS(on) , per ridurre al minimo le perdite di conduzione, e un'elevata capacità di corrente. Questi MOSFET presentano una tensione drain-to-source di 100 V, una resistenza massima drain-to-source allo stato ON di 20 mΩ e una corrente di drain continua di 41 A. I MOSFET NVD6824NL sono qualificati AEC-Q101 e idonei alle procedure PPAP. Questi MOSFET sono indicati per l'energia di valanga. I MOSFET NVD6824NL sono senza piombo e privi di alogeni/BFR e sono conformi alla direttiva RoHS. Questi MOSFET sono adatti per applicazioni automobilistiche come driver per solenoidi e boost switch.

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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
onsemi MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
Scheda dati
694A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms - 20 V, 20 V 1.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 100V, 41A, 20mohm
Scheda dati
2.50010/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 100 V 41 A 20 mOhms 20 V 2.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement Reel, Cut Tape