Torna a onsemi

onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

Il MOSFET NVBLS1D2N08X di Onsemi presenta bassi valori di QRR, RDS(on) e QG per ridurre al minimo la perdita di driver e conduzione. Il MOSFET è qualificato AEC-Q101 per le applicazioni di sistema 48 V nel settore automobilistico. Il dispositivo funziona con una tensione di 80 V tra drain e sorgente e una corrente di drain continua di 299 A. Il MOSFET NVBLS1D2N08X di Onsemi è disponibile nel package H-PSOF8L.

Caratteristiche

  • Diodo di recupero morbido, basso QRR
  • Basso RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Basso QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Qualificato AEC-Q101 e compatibile con PPAP
  • Senza piombo, senza alogeni/senza BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono (SR) in DC-DC e AC-DC
  • Interruttore primario in convertitore CC-CC isolato
  • Azionamenti di motori
  • Sistema automobilistico di 48 V

Specifiche

  • Tensione drain-to-source di 80 V
  • Resistenza drain-to-source da 1,1 mΩ a 10 V
  • Corrente di drain continua di 299 A

Stile del package

Schema di circuito di applicazione - onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

Risposta termica transitoria

Grafico delle prestazioni - onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X
Pubblicato: 2025-04-10 | Aggiornato: 2025-04-28