NVBLS1D2N08XTXG

onsemi
863-NVBLS1D2N08XTXG
NVBLS1D2N08XTXG

Produttore:

Descrizione:
MOSFET T10 80V SG TOLL

Ciclo di vita:
Nuovo prodotto:
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
RoHS::  
Si
SMD/SMT
H-PSOF-8L
N-Channel
1 Channel
80 V
299 A
1.1 mOhms
20 V
3.6 V
121 nC
- 55 C
+ 175 C
197 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 12 ns
Transconduttanza diretta - Min: 294 S
Tipo di prodotto: MOSFETs
Tempo di salita: 23 ns
Quantità colli di fabbrica: 2000
Sottocategoria: Transistors
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico: 65 ns
Tipico ritardo di accensione: 40 ns
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Attributi selezionati: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MOSFET NVBLS1D2N08X

Il MOSFET NVBLS1D2N08X di Onsemi presenta bassi valori di QRR, RDS(on) e QG per ridurre al minimo la perdita di driver e conduzione. Il MOSFET è qualificato AEC-Q101 per le applicazioni di sistema 48 V nel settore automobilistico. Il dispositivo funziona con una tensione di 80 V tra drain e sorgente e una corrente di drain continua di 299 A. Il MOSFET NVBLS1D2N08X di Onsemi è disponibile nel package H-PSOF8L.