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onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NTMTS002N10MC

I MOSFET di potenza a canale N singolo NTMTS002N10MC di Onsemi sono realizzati utilizzando il processo Power Trench avanzato con tecnologia a porta schermata. I MOSFET Onsemi NTMTS002N10MC hanno un ingombro compatto 8 mm x 8 mm e consentono progetti di dimensioni ridotte. La bassa RDS (on) del dispositivo garantisce perdite di conduzione minime, mentre il basso Q Ge la capacità riducono le perdite del driver, garantendo prestazioni di commutazione superiori. Incorporati nel package Power 88, questi MOSFET sono privi di piombo e conformi a RoHS, in linea coi moderni standard ambientali.

Caratteristiche

  • Ingombro ridotto (8 mm x 8 mm) per design compatti
  • BassaRDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassi QG e capacità elettrica per minimizzare le perdite del driver
  • Package Power 88
  • Senza piombo e conforme a RoHS

Applicazioni

  • Controllo del motore
  • Convertitori CC-CC
  • Gestione/protezione batteria

Schema di circuito di applicazione

Schema di circuito di applicazione - onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NTMTS002N10MC
Pubblicato: 2024-05-13 | Aggiornato: 2024-06-10