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NTMTS002N10MCTXG

Name: onsemi NTMTS002N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMTS002N10MCTXG
Price: 6.36 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMTS002N10MCTXG

N. produttore:

NTMTS002N10MCTXG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD CLIP 2.0 MOHMS MAX

Scheda dati:

NTMTS002N10MCTXG Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	TDFNW-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	236 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	5.3 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	89 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	255 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	SIngle
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	PH
Tempo di caduta:	26 ns
Transconduttanza diretta - Min:	180 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	19 ns
Serie:	NTMTS002N10MC
Quantità colli di fabbrica:	3000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	59 ns
Tipico ritardo di accensione:	29 ns

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Scheda dati

NTMTS002N10MCTXG Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N singolo NTMTS002N10MC

I MOSFET di potenza a canale N singolo NTMTS002N10MC di Onsemi sono realizzati utilizzando il processo Power Trench avanzato con tecnologia a porta schermata. I MOSFET Onsemi NTMTS002N10MC hanno un ingombro compatto 8 mm x 8 mm e consentono progetti di dimensioni ridotte. La bassa R_{DS (on)} del dispositivo garantisce perdite di conduzione minime, mentre il basso Q Ge la capacità riducono le perdite del driver, garantendo prestazioni di commutazione superiori. Incorporati nel package Power 88, questi MOSFET sono privi di piombo e conformi a RoHS, in linea coi moderni standard ambientali.