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onsemi MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL

Il MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL di onsemi è studiato per progetti compatti ed efficienti in un package con conduttori piatti da 5 mm x 6 mm. Questo MOSFET di potenza presenta basso RDS (on), bassa Qg e capacità elettrica, nonché capacità di pilotaggio a livello logico. Il MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL opera a tensione drain-to-source di 80 V, tensione gate-to-source di ±20 V e intervallo di temperatura di funzionamento di giunzione e conservazione da -55 °C a 175 °C. Questo MOSFET di potenza è privo di piombo e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono alimentatori a commutazione, interruttori di alimentazione (driver lato alto, driver lato basso e mezzi ponti), sistemi 48 V, controllo del motore, interruttori di carico e convertitore CC/CC.

Caratteristiche

  • Basso RDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa Qg e capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Senza piombo
  • Conforme a RoHS
  • Ingombro ridotto 5 mm x 6 mm per design compatti

Specifiche

  • Tensione drain-to-source 80 V
  • Tensione gate-to-source ±20 V
  • Corrente di dispersione gate-to-source 100 nA
  • Intervallo di tensione di soglia del gate da 1,2 V a 2 V
  • Coefficiente di temperatura di soglia -2,9 mV/°C
  • Capacità di ingresso 623 pF
  • Capacità di uscita 82 pF
  • Corrente di drain a impulsi da 142 A
  • Transconduttanza diretta 45 s
  • Intervallo di temperatura di conservazione e giunzione da -55 °C a 175 °C

Applicazioni

  • Alimentatori di commutazione
  • Interruttori di alimentazione (driver lato alto, driver lato basso e mezzi ponti)
  • Sistemi 48 V
  • Controllo motori
  • Interruttore di carico
  • Convertitore CC/CC

Grafico delle caratteristiche tipiche

Grafico delle prestazioni - onsemi MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL

Schema delle dimensioni

Disegno meccanico - onsemi MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL
Pubblicato: 2023-12-20 | Aggiornato: 2024-01-05