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NTMFS6H858NLT1G

Name: onsemi NTMFS6H858NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS6H858NLT1G
Price: 1.03 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFS6H858NLT1G

N. produttore:

NTMFS6H858NLT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T8 80V LL SO8FL

Scheda dati:

NTMFS6H858NLT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	1,03 €	1,03 €
	0,646 €	6,46 €
	0,426 €	42,60 €
	0,33 €	165,00 €
	0,277 €	277,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 1500)
	0,255 €	382,50 €
	0,254 €	762,00 €

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	DFN-5
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	30 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	25 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2 V
Qg - Carica del gate:	12 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	42 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Paese di assemblaggio:	Not Available
Paese di diffusione:	Not Available
Paese di origine:	MY
Tempo di caduta:	4 ns
Transconduttanza diretta - Min:	45 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	34 ns
Serie:	NTMFS6H858NL
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	15 ns
Tipico ritardo di accensione:	9 ns

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Scheda dati

NTMFS6H858NLT1G Scheda dati

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL

Il MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL di onsemi è studiato per progetti compatti ed efficienti in un package con conduttori piatti da 5 mm x 6 mm. Questo MOSFET di potenza presenta basso R_{DS (on)}, bassa Q_g e capacità elettrica, nonché capacità di pilotaggio a livello logico. Il MOSFET di potenza a canale N NTMFS6H858NL opera a tensione drain-to-source di 80 V, tensione gate-to-source di ±20 V e intervallo di temperatura di funzionamento di giunzione e conservazione da -55 °C a 175 °C. Questo MOSFET di potenza è privo di piombo e conforme a RoHS. Le applicazioni tipiche includono alimentatori a commutazione, interruttori di alimentazione (driver lato alto, driver lato basso e mezzi ponti), sistemi 48 V, controllo del motore, interruttori di carico e convertitore CC/CC.