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onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NTMFS3D0N08X

Il MOSFET di potenza a canale N singolo NTMFS3D0N08X onsemi è un MOSFET di porta standard T10 da 80 V ideale per applicazioni di alimentazione cloud, telecomunicazioni 5G e altre applicazioni PSU, nonché per applicazioni CC/CC e industriali. L'NTMFS3D0N08X offre prestazioni migliori con una migliore efficienza del sistema e un'elevata densità di potenza. Questo MOSFET offre una maggiore efficienza complessiva, migliori perdite di commutazione, un riverbero/superamento/rumore ridotto e una maggiore robustezza Avalanche nelle applicazioni a commutazione rapida.

Caratteristiche

  • Bassa QRR, diodo corpo a recupero progressivo
  • Bassa RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa QGe e capacità elettrica per ridurre al minimo le perdite del driver
  • Senza piombo, senza alogeni/senza BFR e conforme a RoHS

Applicazioni

  • Raddrizzamento sincrono (SR) in CC-CC e CA-CC
  • Interruttori primari in convertitori CC-CC isolati
  • Azionamenti di motori

Specifiche

  • Tensione drain-source massima 80 V
  • tensione gate-source massima ±20 V
  • Intervallo massimo di corrente di drain continua da 109 A a 154 A
  • Dissipazione di potenza massima 133 W
  • Corrente drain/source a impulsi massima 634 A
  • Corrente di sorgente massima del diodo 201 A
  • Energia massima da valanga a impulso singolo 140 mJ
  • Corrente di dispersione gate-source massima 100 nA
  • Intervallo di resistenza massima drain-source da 2,6 mΩ a 5,2 mΩ
  • Intervallo di tensione di soglia del gate da 2,4 V a 3,6 V
  • Transconduttanza diretta tipica 115 S
  • Carica di uscita tipica 66 nC
  • Intervallo di carica del gate tipico da 28 nC a 45 nC
  • Carica del gate di soglia tipica 10 nC
  • Carica gate-source tipica 15 nC
  • Carica gate-drain tipica 7 nC
  • Tensione tipica 4,7 V
  • Resistenza di gate tipica 0,8 Ω
  • Tempi di commutazione tipici
    • Ritardo di accensione 24 ns
    • Aumento 8 ns
    • Ritardo di spegnimento 35 ns
    • Caduta 6 ns
  • Capacità tipiche
    • ingresso 3200 pF
    • Uscita 930 pF
    • Trasferimento inverso 14 pF
  • Resistenza termica
    • Giunzione-involucro 1,12°C/W
    • Giunzione-ambiente 39°C/W
  • Intervallo di temperatura di giunzione di funzionamento da -55 °C a +175 °C
Pubblicato: 2024-02-19 | Aggiornato: 2024-05-01