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NTMFS3D0N08XT1G

Name: onsemi NTMFS3D0N08XT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTMFS3D0N08XT1G
Price: 2.3 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTMFS3D0N08XT1G

N. produttore:

NTMFS3D0N08XT1G

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL

Scheda dati:

NTMFS3D0N08XT1G Scheda dati

Modello ECAD:

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	SO-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	80 V
Id - corrente di drain continua:	154 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	2.6 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	3.6 V
Qg - Carica del gate:	28 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	133 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	6 ns
Transconduttanza diretta - Min:	115 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	8 ns
Serie:	NTMFS3D0N08X
Quantità colli di fabbrica:	1500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	35 ns
Tipico ritardo di accensione:	24 ns

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PCN

Product Change Notification 2025-2-27 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

PowerTrench Technology

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