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onsemi MOSFET a canale N singolo NTBLS1D5N10MC

Il MOSFET a canale N singolo NTBLS1D5N10MC onsemi ha un basso RDS (on) che garantisce una gestione efficiente dell’energia. Il modello NTBLS1D5N10MC onsemi presenta bassa Qg e capacitanza tale da migliorare le prestazioni riducendo al minimo i tempi di carica/scarica. Questo MOSFET riduce significativamente il rumore di commutazione e le interferenze elettromagnetiche (EMI), contribuendo a un ambiente di segnale più pulito.

Caratteristiche

  • Basso RDS (on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
  • Bassa Qg e capacità per ridurre al minimo le perdite al driver
  • Riduce il rumore di commutazione/EMI
  • Questi dispositivi sono senza piombo e conformi a RoHS

Applicazioni

  • Macchine utensili
  • Aspirapolvere alimentato a batteria
  • UAV (droni)
  • Movimentazione dei materiali
  • Sistema di gestione della batteria (BMS)/stoccaggio
  • Domotica

Schema di circuito di applicazione

Schema di circuito di applicazione - onsemi MOSFET a canale N singolo NTBLS1D5N10MC
Pubblicato: 2023-11-10 | Aggiornato: 2023-11-17