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NTBLS1D5N10MCTXG

Name: onsemi NTBLS1D5N10MCTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS1D5N10MCTXG
Price: 6.47 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-NTBLS1D5N10MCTXG

N. produttore:

NTBLS1D5N10MCTXG

Produttore:

onsemi

Descrizione:

MOSFET PTNG 100V STD TOLL

Scheda dati:

NTBLS1D5N10MCTXG Scheda dati

Modello ECAD:

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	6,47 €	6,47 €
	4,88 €	48,80 €
	3,81 €	381,00 €
	3,40 €	3.400,00 €
Nastrati completa (ordinare in multipli di 2000)
	3,39 €	6.780,00 €
4.000	Offerta

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
REACH - SVHC:
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	1 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	100 V
Id - corrente di drain continua:	312 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	1.5 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	4 V
Qg - Carica del gate:	131 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	322 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Configurazione:	Single
Tempo di caduta:	90 ns
Transconduttanza diretta - Min:	230 S
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	71 ns
Serie:	NTBLS1D5N10MC
Quantità colli di fabbrica:	2000
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	83 ns
Tipico ritardo di accensione:	39 ns

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Scheda dati

NTBLS1D5N10MCTXG Scheda dati

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET a canale N singolo NTBLS1D5N10MC

Il MOSFET a canale N singolo NTBLS1D5N10MC onsemi ha un basso R_{DS (on)} che garantisce una gestione efficiente dell’energia. Il modello NTBLS1D5N10MC onsemi presenta bassa Q_g e capacitanza tale da migliorare le prestazioni riducendo al minimo i tempi di carica/scarica. Questo MOSFET riduce significativamente il rumore di commutazione e le interferenze elettromagnetiche (EMI), contribuendo a un ambiente di segnale più pulito.

Soluzioni per la conservazione dell'energia

I sistemi di accumulo di energia (ESS) di onsemi immagazzinano l'elettricità proveniente da varie fonti energetiche, come carbone, nucleare, eolica e solare, in diverse forme, tra cui batterie (elettrochimiche), aria compressa (meccanica) e sali fusi (termici). Questa soluzione si concentra sui sistemi di conservazione dell'energia della batteria collegati ai sistemi di inverter solare.