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onsemi Transistori resistore di polarizzione PNP NBSAMXW

Onsemi NSBAMXW I PNP polarizzione resistore transistori (BRT) sono progettati per sostituire un singolo dispositivo e i relativi resistore polarizzione rete esterni. Questi PNP polarizzione resistore transistori contengono un singolo transistor con un monolitico polarizzione rete costituito da due resistori un serie base resistore e un resistore base-emettitore. I BRT eliminano i componenti individuali integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT riduce il costo del sistema e lo spazio sulla scheda. Gli NSBAMXW di Theonsemi sono alloggiati in un package XDFNW3 che offre prestazioni termiche superiori. Questi dispositivi sono ideali per applicazioni di montaggio superficiale dove lo spazio sulla scheda e l'affidabilità sono fondamentali.

Caratteristiche

  • polarizzione resistori incorporato
  • Tipi NPN disponibili gratuitamente (NSBCMXW)
  • XDFNW3 Case 521AC package con altezza di seduta ridotta di 0,44 mm (massimo)
  • package di fianchi Bagnabile per un'ispezione ottico automatizzata (AOI) ottimale
  • Valutazione di scarica di elettricità statica (ESD) di Classe 1 B (HBM)
  • Prefisso NSV per il settore automobilistico e altre applicazioni che richiedono requisiti di modifica unici del sito e del controllo; qualificato AEC-Q101 e idoneo PPAP
  • Privi di piombo, alogeni/BFR e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • Commutazione digitale
  • Controllo degli ingressi CI

Specifiche

  • -50 V tensione massima collettore-emettitore/-base
  • 100 mA corrente collettore massima
  • -100nA corrente di interdizione collettore-base massima
  • -500nA corrente di interdizione collettore-emettitore massima
  • -1,5 mA a -0,2 mA portata massima corrente di interdizione emettitore-base
  • -0,25 V tensione di saturazione collettore-emettitore massima
  • -0,8 V a -0,3 V tensione di ingresso massima (spento) portata
  • -2,4 V a -1,15 V tensione di ingresso tipica (on) portata
  • 0,2 V tensione di uscita massima (on)
  • 4,9 V tensione di uscita minimo (spento)
  • Da 6,1 kΩ a 61,1 kΩ di portata massima del resistore di polarizzione
  • Termici
    • Dissipazione di potenza totale massima di 450 mW
    • Resistenza termica giunzione-ambiente di 145 °C/W
    • Intervallo di temperatura di giunzione da -65 °C a +150 °C

Connessioni Pni

Disegno meccanico - onsemi Transistori resistore di polarizzione PNP NBSAMXW

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Pubblicato: 2025-08-29 | Aggiornato: 2025-09-09