Transistori con resistenze di polarizzione NPN NSBCMXW

I transistori con resistenze di polarizzazione (BRT) NPN NSBCMXW di Onsemi  sono progettati per sostituire un singolo dispositivo e la relativa rete di polarizzazione del resistore esterno. Questi BRT di Onsemi contengono un singolo transistor con una rete di polarizzazione monolitica costituita da due resistori: un resistore di base in serie e un resistore base-emettitore. I BRT eliminano i componenti individuali integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT può ridurre sia il costo del sistema che lo spazio occupato dalla scheda. I componenti NSBCMXW sono alloggiati in un package XDFNW3 che offre prestazioni termiche superiori. Questi transistori sono ideali per applicazioni di montaggio superficiale dove lo spazio occupato dalla scheda e l'affidabilità sono di primaria importanza.

Risultati: 10
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Configurazione
Polarità transistor
Resistenza di ingresso tipica
Rapporto di resistenza tipico
Stile di montaggio
Package/involucro
Collettore DC/Guadagno base hfe Min
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Corrente continua collettore
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
2.968A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 35 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
2.995A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 4.7 kOhms 0.47 SMD/SMT DFN-3 35 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 4.7 kOhms 0.1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 4.7 kOhms 0.47 SMD/SMT DFN-3 35 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 4.7 kOhms 0.1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3.000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 500
: 3.000

Single NPN 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali NBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
5.999In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.490
: 3.000

Single NPN 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 at 5 mA, 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBCMXW Reel, Cut Tape