onsemi Interruttori di potenza GaN in modalità potenziata NCP5892

L'interruttore di potenza GaN in modalità potenziata NCP5892 di Onsemi integra un driver in silicio (Si) ad alte prestazioni e alta frequenza e transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) al nitruro di gallio (GaN) da 650 V in un'unica struttura di commutazione. La potente combinazione del driver Si e dell'interruttore di potenza GaN HEMT garantisce prestazioni superiori rispetto alla soluzione discreta GaN HEMT e al driver esterno. L'implementazione integrata NCP5892 di Onsemi riduce in modo significativo i parametri parassitari del circuito e del package, consentendo al contempo una progettazione più compatta.

Caratteristiche

Tensione massima di drain di 650 V
Resistenza in stato attivo drain-source [R_DS(ON)]
- NCP58920 - 150 mΩ
- NCP58921 - 50 mΩ
- NCP58922 - 78 mΩ
Ritardo di propagazione del driver tipico di 30 ns
Il package TQFN26 da 8 mm x 8 mm minimizza le induttanze parassite
Il processo di accensione del driver è regolabile tramite un resistore esterno, che consente l'ottimizzazione dell'EMI in condizioni di commutazione difficili
Ingresso logico GDS che commuta la potenza del driver per un facile accompagnamento con i controller flyback QR

Distanza di dispersione di 2,75 mm per la massima affidabilità
Regolatore di tensione del morsetto del driver di 6.0 V
Trigger Schmitt compatibile con TTL e ingresso PWM rail-to-rail
Protezioni UVLO
- NCP58920 e NCP58921 per l'alimentazione V_DD e VDR
- NCP58922 per l'alimentazione V_DD e VDDL
Immunità transitoria di velocità di risposta fino a 200 V/ns dV/dt
Uscita LDO da +5 V per alimentare gli isolatori digitali con corrente fino a 20 mA per NCP58921
Valori nominali V_DD massimi da 20 V
Senza piombo, senza alogeni e conforme a RoHS