Interruttori di potenza GaN in modalità potenziata NCP5892

L'interruttore di potenza GaN in modalità potenziata NCP5892 di Onsemi integra un driver in silicio (Si) ad alte prestazioni e alta frequenza e transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) al nitruro di gallio (GaN) da 650 V in un'unica struttura di commutazione. La potente combinazione del driver Si e dell'interruttore di potenza GaN HEMT garantisce prestazioni superiori rispetto alla soluzione discreta GaN HEMT e al driver esterno. L'implementazione integrata NCP5892 di Onsemi riduce in modo significativo i parametri parassitari del circuito e del package, consentendo al contempo una progettazione più compatta.