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onsemi MOSFET a canale N SiC M2 NVT201xN0

I MOSFET a canale N SiC M2 NVT201xN0 di onsemi offrono un funzionamento a tensione più elevata, intervalli di temperatura più ampi e frequenze di commutazione aumentate rispetto alla tecnologia Si esistente. Questi MOSFET offrono una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate ultra-bassa, con conseguente riduzione delle perdite di commutazione e maggiori capacità di velocità di commutazione. I MOSFET a canale N SiC M2 NVT201xN0 di onsemi sono testati UIS al 100% e sono qualificati secondo la norma AEC-Q101.

Caratteristiche

  • Bassa capacità di uscita effettiva
  • Carica del gate ultrabassa
  • Testato al 100% UIS
  • Qualificato secondo AEC-Q101
  • Privo di alogenuri e conforme alla direttiva RoHS con deroga 7a, senza piombo 2LI (su interconnessione di secondo livello)

Applicazioni

  • Caricatori di bordo/esterni per il settore automobilistico
  • Convertitori CC-CC per il settore automobilistico per EV-HEV (veicoli elettrici e ibridi)
  • SMPS, inverter solari, UPS, sistemi di accumulo di energia, infrastrutture di ricarica per veicoli elettrici

Specifiche

  • Resistenza drain-to-source allo stato ON [RDS(on)]
    • NVT2012N065M2: 18 mΩ (tip.) a VGS = 18 V
    • NVT2016N090M2: 23 mΩ (tip.) a VGS = 18 V
  • Tensione drain-to-source (VDSS)
    • NVT2012N065M2: 650 V
    • NVT2016N090M2: 900 V
  • Corrente di drain continua (ID) (TC= +25 °C)
    • NVT2012N065M2: 180 A
    • NVT2016N090M2: 148 A
  • Dissipazione di potenza (PD) (TC= 25 °C)
    • NVT2012N065M2: 375 W
    • NVT2016N090M2: 789 W
  • Corrente di drain a impulsi (IDM) (TC = +25 °C, tp = 100 µs)
    • NVT2012N065M2: 482 A
    • NVT2016N090M2: 424 A
  • Capacità di ingresso (CISS)
    • NVT2012N065M2: 5.389 pF (V DS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    • NVT2016N090M2: 5.340 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Capacità di uscita (COSS)
    • NVT2012N065M2: 431 pF (VDS = 325 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    • NVT2016N090M2: 310 pF (VDS = 450 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
  • Carica totale di gate [QG(TOT)]
    • NVT2012N065M2: 256 nC (VDS = 400 V, ID = 40 A, VGS = -5 V/+18 V)
    • NVT2016N090M2: 250 nC (VDS = 425 V, ID = 60 A, VGS = -5 V/+18 V)

Risorse aggiuntive

Schemi elettrici e di marcatura

Schema - onsemi MOSFET a canale N SiC M2 NVT201xN0
Pubblicato: 2025-11-12 | Aggiornato: 2025-11-23