MOSFET a canale N SiC M2 NVT201xN0

I MOSFET a canale N SiC M2 NVT201xN0 di onsemi offrono un funzionamento a tensione più elevata, intervalli di temperatura più ampi e frequenze di commutazione aumentate rispetto alla tecnologia Si esistente. Questi MOSFET offrono una bassa capacità di uscita effettiva e una carica di gate ultra-bassa, con conseguente riduzione delle perdite di commutazione e maggiori capacità di velocità di commutazione. I MOSFET a canale N SiC M2 NVT201xN0 di onsemi sono testati UIS al 100% e sono qualificati secondo la norma AEC-Q101.