onsemi Diodi EliteSiC D1
I diodi EliteSiC D1 di onsemi sono una soluzione versatile e ad alte prestazioni progettata per le moderne applicazioni elettroniche di alimentazione. D1 di onsemi presenta tensioni nominali di 650 V, 1.200 V e 1.700 V. Questi diodi offrono la flessibilità necessaria per soddisfare i vari requisiti di progettazione. Caratterizzati da diversi package, come D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2 e TO-247-3, i diodi EliteSiC D1 offrono ai progettisti opzioni per ottimizzare lo spazio sulla scheda e le prestazioni termiche.
Caratteristiche
- Tensioni: 650 V, 1200 V e 1700 V
- Package D2PAK2, D2PAK3, TO-220-2, TO-247-2, TO-247-3
- Matrice di grandi dimensioni con bassa resistenza termica (Rth)
- Ottimizzato per corrente di sovraccarico diretta non ripetitiva (IFSM)
- Applicazioni di fasi di ingresso raddrizzatore Vienna
Selettore di diodi D1 EliteSiC di onsemi
onsemi 1200V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes
Provides superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices.
onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes
Provides superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices.
onsemi Diodi EliteSiC (al carburo di silicio) da 1700 V
Offre prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
onsemi Diodi al carburo di silicio (SiC) FFSH10120A-F155
Forniscono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio.
Maggiori informazioni su EliteSiC
onsemi EliteSiC
Risponde alle esigenze di applicazioni esigenti come inverter solari e caricabatterie per veicoli elettrici.
Pubblicato: 2023-04-04
| Aggiornato: 2024-08-29