onsemi IGBT AFGB30T65RQDN
I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) AFGB30T65RQDN di onsemi offrono prestazioni ottimali per applicazioni del settore automobilistico. Questo IGBT presenta elevata capacità di corrente, commutazione rapida, elevata impedenza di ingresso e una distribuzione dei parametri più rigorosa. L'IGBT AFGB30T65RQDN è resistente ai cortocircuiti e offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e commutazione. Questo IGBT è conforme alla qualifica AEC-Q101, senza piombo e conforme alla direttiva RoHS. Applicazioni tipiche includono il compressore elettrico per HEV/EV (veicoli ibridi/elettrici) e il riscaldatore PTC per HEV/EV.
Caratteristiche
- Temperatura di giunzione massima 175 °C (TJ)
- Coefficiente di temperatura positivo per un facile funzionamento in parallelo
- Capacità di alta corrente
- Alta impedenza di ingresso
- Commutazione rapida
- Distribuzione rigorosa dei parametri
- Bassa tensione di saturazione: VCE(Sat)=1,58 V (Tip.) a IC=30 A
- Conformi alle qualifiche AEC-Q101
- Senza piombo
- Conformità a RoHS
Applicazioni
- Compressore elettrico per HEV/EV (veicoli ibridi/elettrici)
- Riscaldatore PTC per HEV/EV (veicoli ibridi/elettrici)
Risorse aggiuntive
Pubblicato: 2025-11-04
| Aggiornato: 2025-12-29