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AFGB30T65RQDN

Name: onsemi AFGB30T65RQDN
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGB30T65RQDN
Price: 3.69 EUR
Availability: InStock

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N. Mouser:

863-AFGB30T65RQDN

N. produttore:

AFGB30T65RQDN

Produttore:

onsemi

Descrizione:

IGBTs IGBT - 650V 30A -Short circuit rated FS4 - Automotive

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

AFGB30T65RQDN Scheda dati

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	2,43 €	24,30 €
	1,81 €	181,00 €
	1,62 €	810,00 €
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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	onsemi
Categoria prodotto:	IGBTs
RoHS::
Tecnologia:	Si
Package/involucro:	D2PAK-3
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Configurazione:	Single
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:	650 V
Tensione di saturazione collettore-emettitore:	1.58 V
Tensione gate-emettitore massima:	20 V, 30 V
Collettore a corrente continua a 25 °C:	68 A
Pd - Dissipazione di potenza:	235.48 W
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Serie:	AFGB30T65RQDN
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	onsemi
Tipo di prodotto:	IGBTs
Quantità colli di fabbrica:	800
Sottocategoria:	Transistors

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PCN

Product Change Notification 2025-12-15 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

IGBT AFGB30T65RQDN

I transistor bipolari a gate isolato (IGBT) AFGB30T65RQDN di onsemi offrono prestazioni ottimali per applicazioni del settore automobilistico. Questo IGBT presenta elevata capacità di corrente, commutazione rapida, elevata impedenza di ingresso e una distribuzione dei parametri più rigorosa. L'IGBT AFGB30T65RQDN è resistente ai cortocircuiti e offre un'alta cifra di merito con basse perdite di conduzione e commutazione. Questo IGBT è conforme alla qualifica AEC-Q101, senza piombo e conforme alla direttiva RoHS. Applicazioni tipiche includono il compressore elettrico per HEV/EV (veicoli ibridi/elettrici) e il riscaldatore PTC per HEV/EV.