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Nexperia Diodi SCHOTTKY al carburo di silicio (SIC) PSC1065K

Il diodo SCHOTTKY al carburo di silicio (SiC) PSC1065K di Nexperia è progettato per applicazioni di conversione di potenza ad altissime prestazioni, a basso consumo e ad alta efficienza. Il diodo SCHOTTKY al SiC PSC1065K di Nexperia è racchiuso in un package plastico a foro passante Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 (SOT8021). Il prodotto offre un turn-off capacitivo indipendente dalla temperatura, un comportamento di commutazione a recupero zero e un'eccezionale figura di merito (QC x VF). Il diodo Merged PiN Schottky (MPS) migliora la robustezza espressa in un alto IFSM.

Caratteristiche

  • Recupero inverso e in avanti zero
  • Prestazioni di commutazione indipendenti dalla temperatura
  • Cifra di merito eccezionale (Qc x VF)
  • Elevata capacità IFSM
  • Alta densità di energia
  • Costi di sistema ridotti
  • Miniaturizzazione del sistema
  • EMI ridotto

Applicazioni

  • Alimentatore a commutazione (SMPS)
  • Convertitore CA-CC e CC-CC
  • Infrastruttura di caricamento batteria
  • Alimentazione server e telecomunicazioni
  • Gruppo statico di continuità (UPS)
  • Invertitori fotovoltaici

Risorse aggiuntive

Portata del package

Grafico - Nexperia Diodi SCHOTTKY al carburo di silicio (SIC) PSC1065K

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Pubblicato: 2023-07-07 | Aggiornato: 2025-06-20