Diodi SCHOTTKY al carburo di silicio (SIC) PSC1065K

Il diodo SCHOTTKY al carburo di silicio (SiC) PSC1065K di Nexperia è progettato per applicazioni di conversione di potenza ad altissime prestazioni, a basso consumo e ad alta efficienza. Il diodo SCHOTTKY al SiC PSC1065K di Nexperia è racchiuso in un package plastico a foro passante Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 (SOT8021). Il prodotto offre un turn-off capacitivo indipendente dalla temperatura, un comportamento di commutazione a recupero zero e un'eccezionale figura di merito (QC x VF). Il diodo Merged PiN Schottky (MPS) migliora la robustezza espressa in un alto IFSM.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Configurazione If - Corrente diretta Vrrm - Tensione inversa ripetitiva Vf - Tensione diretta Ifsm - Sovracorrente diretta Ir - Corrente inversa Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Confezione
Nexperia Diodi Schottky SiC RECT 650V 10A RDL SCHOTTKY 876A magazzino
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Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Diodi Schottky SiC PSC1065J-Q/SOT8018/TO263-2L
80018/05/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape