Nexperia MOSFET di potenza ottimizzati per applicazioni specifiche
I MOSFET di potenza ottimizzati per applicazioni specifiche di Nexperia consentono di adattare i parametri ai requisiti specifici. Nexperia unisce una comprovata esperienza nei MOSFET a una profonda conoscenza applicativa per sviluppare una gamma in continua espansione di MOSFET ottimizzati per applicazioni specifiche.Gli ASFET per hot-swap e avvio progressivo sono progettati per supportare applicazioni e apparecchiature a funzionamento continuo. Gli ASFET CCPAK per hot-swap e avvio progressivo offrono una modalità lineare affidabile, una SOA migliorata e bassa RDS(on). Gli ASFET CCPAK sono progettati per gestire con precisione la corrente di spunto, proteggendo i componenti sulle schede sostitutive inserite in un sistema attivo.
Gli ASFET per PoE, eFuse e sostituzione dei relè sono stati sviluppati appositamente per integrare i moderni controller PSE ad alta potenza. I dispositivi utilizzano la stessa tecnologia al silicio degli ASFET per hot-swap di fascia superiore. Questi ASFET compatti offrono una SOA migliorata per applicazioni a bassa potenza in modalità lineare, disponibili in una gamma di package compatti DFN2020 (2 mm x 2 mm) e LFPAK33 (3,3 mm x 3,3 mm).
ASFET per sistemi a batteria ed eFuse sono progettati per apparecchiature alimentate da batterie multicella. Le batterie agli ioni di litio offrono il vantaggio di un'elevata densità energetica. Tuttavia, ciò può diventare problematico in condizioni di guasto, con il rischio di una massiccia scarica di energia incontrollata, che può provocare il surriscaldamento dei carichi e potenziali incendi nei circuiti. Per gestire qualsiasi scarica significativa in modo controllato fino a quando la batteria non viene isolata in sicurezza e il sistema non viene spento, è richiesto un MOSFET estremamente robusto ed efficiente dal punto di vista termico. Questa rappresenta un'applicazione ideale per i dispositivi di Nexperia più avanzati in package LFPAK.
Gli ASFET per il controllo dei motori a CC, inclusi gli ASFET da 50 V/55 V, sono progettati per soddisfare i requisiti dei motori da 36 V, dagli utensili elettrici senza fili alle apparecchiature elettriche per esterni, fino a e-bike e scooter. Per pilotare queste applicazioni impegnative in modo sicuro ed efficiente sono richiesti MOSFET ottimizzati per alte correnti, con SOA elevata e robuste capacità di valanga.
Caratteristiche
- ASFET per hot-swap e avvio progressivo
- Sono necessari MOSFET con elevate prestazioni in modalità lineare e una SOA (area di funzionamento sicuro) migliorata per gestire in modo efficace e affidabile la corrente di spunto quando carichi capacitivi vengono collegati alla piastra base
- Una volta che la scheda sostitutiva è stata alimentata in sicurezza, il MOSFET viene portato in piena conduzione
- ASFET per sistemi di batterie ed eFuse
- In condizioni di guasto, il MOSFET di isolamento della batteria entra normalmente in modalità lineare a causa delle tensioni generate sull'induttanza del circuito ad alta corrente quando il guasto provoca una scarica profonda
- I MOSFET con SOA elevata mantengono un funzionamento sicuro e controllato fino allo spegnimento completo, con la batteria completamente isolata dal circuito di carico
- È necessaria una bassa RDS(on) per ridurre le perdite di conduzione durante il normale funzionamento, ma i parametri devono essere ottimizzati per garantire un isolamento sicuro della batteria
- I MOSFET robusti per l'isolamento della batteria possono essere utilizzati come protezione primaria ai fini dell'approvazione dell'apparecchiatura
- Può essere richiesta una bassa Vt, poiché il CI di protezione della batteria può disporre solo di un gate drive da 2 V a 3 V
- ASFET per Power over Ethernet
- Il ruolo principale del MOSFET è gestire in sicurezza la corrente di spunto quando carichi capacitivi vengono collegati alla rete
- SOA (area di funzionamento sicuro) estesa e migliorata per sopportare la dissipazione di potenza dovuta a guasti di cortocircuito fino al rilevamento del guasto e allo spegnimento da parte del controller PSE
- Protezione avanzata che garantisce oltre il doppio della protezione rispetto ai dispositivi concorrenti. In caso di guasto di cortocircuito del cavo, gli ASFET per PoE possono dissipare in sicurezza fino a 30 W a una temperatura ambiente di +60 °C per un massimo di 20 ms
- L'integrazione di più porte PoE ad alta potenza in router/interruttori compatti richiede l'elevata densità di potenza resa possibile dall'efficienza termica e dall'ingombro ridotto del package LFPAK33
- ASFET per il controllo di motori a CC
- 50 V/55 V per motori a CC da 36 V, SOA ottimizzata, elevata ID nominale ed eccellente capacità di valanga
- Elevata ID per condizioni di sovraccarico del motore, con capacità di corrente massima fino a 500 A
- Semiponte per applicazioni motore con vincoli di spazio, con induttanza parassita ridotta del 60% e migliori prestazioni termiche
- Prestazioni in valanga ripetitiva garantite per motori a CC con vincoli di spazio
Applicazioni
- Power-over-Ethernet (PoE)
- Sistemi di batterie ed eFuse
- Controllo di motori a CC
- Hot-swap e avvio progressivo
Note applicativa
- Risorsa interattiva: MOSFET per applicazioni di commutazione di potenza (IAN50020)
- Risorsa interattiva: MOSFET di potenza in modalità lineare (IAN50006)
- Risorsa interattiva: MOSFET di potenza in parallelo per applicazioni ad alta potenza (IAN50005)
- Utilizzo delle curve Zth nei MOSFET di potenza (AN11156)
- Caratteristiche del guasto dovuto a overstress elettrico nei MOSFET di potenza (AN11243)
- Modelli termici RC (AN11261)
- MOSFET di potenza in parallelo per applicazioni ad alta potenza (AN50005)
- Progettazione con MOSFET per un funzionamento del gate drive sicuro e affidabile (AN90001)
- Guida alla progettazione termica dei MOSFET LFPAK (AN90003)
- Comprendere i parametri delle schede tecniche dei MOSFET di potenza (AN11158)
- Utilizzo dei modelli termici RC (AN11261)
- Valutazione della robustezza dei MOSFET di potenza in condizioni di valanga singola e ripetitiva (AN10273)
- Progettazione di snubber RC (AN11160)
- Utilizzo di MOSFET di potenza in parallelo (AN11599)
- MOSFET di potenza in modalità lineare (AN50006)
- Progettazione con MOSFET per un funzionamento del gate drive sicuro e affidabile (AN90001)
- Commutazione di MOSFET a semiponte e relativo impatto sull'EMC (AN90011)
- Correnti continue massime nei MOSFET di potenza LFPAK di Nexperia (AN90016)
- Resistenza termica dei MOSFET LFPAK: simulazione, prova e ottimizzazione del layout PCB
Blog
- Blog: Migliorare le prestazioni hot-swap con LFPAK88
- Blog: Come il clip in rame rende i package ideali per il futuro dell'elettronica di potenza
- Blog: Proteggere i termostati intelligenti con MOSFET compatti dotati di SOA migliorata
- Blog: Ottimizzare i MOSFET per applicazioni specifiche
- Blog: Al passo con gli standard in evoluzione: UL 2595
- Blog: Qrr: il parametro trascurato e poco valorizzato nella sfida dell'efficienza
- Blog: Instagrid: una rivoluzione nell'alimentazione portatile
- Blog: Riduzione dell'ingombro dell'hot-swap con SOA migliorata
- Blog: La ratifica dello standard IEEE802.3bt apre nuove opportunità per PoE PSE/PD
- Blog: Isolamento efficiente per batterie da 36 V
Comunicati stampa
- Nexperia amplia la propria portata di soluzioni FET discreti ad APEC 2024
- Nexperia lancia nuovi ASFET (MOSFET specifici per applicazioni hot-swap) con SOA raddoppiata
- I MOSFET di Nexperia offrono un'area di funzionamento sicura ai massimi livelli della categoria e una RDS(on) migliorata per progetti hot-swap
- Nexperia estende le prestazioni leader di mercato dei MOSFET a bassa RDS(on) con il nuovo prodotto da 0,57 mΩ in LFPAK56
- Nexperia annuncia MOSFET con la più bassa RDS(on) nei package LFPAK56 e LFPAK33 senza compromettere altri parametri essenziali
- I nuovi ASFET (MOSFET ottimizzati per applicazioni specifiche) di Nexperia per hot-swap aumentano la SOA del 166% e riducono l'ingombro PCB dell'80%
