MOSFET di potenza ottimizzati per applicazioni specifiche

I MOSFET di potenza ottimizzati per applicazioni specifiche di Nexperia consentono di adattare i parametri ai requisiti specifici. Nexperia unisce una comprovata esperienza nei MOSFET a una profonda conoscenza applicativa per sviluppare una gamma in continua espansione di MOSFET ottimizzati per applicazioni specifiche.

Risultati: 13
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 460A 589A magazzino
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Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 460 A 1.04 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 359 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8000 100V 430A 25A magazzino
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Si SMD/SMT SOT8005A-12 N-Channel 1 Channel 100 V 430 A 1.09 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 339 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80ASE/SOT800 0A/CCPAK12 200A magazzino
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R2-80CSE/SOT800 5A/CCPAK12 147A magazzino
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 375 A 1.18 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 233 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R3-100ASF/SOT80 00A/CCPAK1 127A magazzino
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100ASE/SOT80 00A/CCPAK1 50A magazzino
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Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.36 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100CSE/SOT80 05A/CCPAK1 245A magazzino
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: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 340 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 244 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8005 N-CH 80V 505 A 65A magazzino
Min: 1
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: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN1R1-80ASF/SOT800 0A/CCPAK12 235A magazzino
Min: 1
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: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.11 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R1-80CSF/SOT800 5A/CCPAK12 216A magazzino
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: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 80 V 385 A 1.16 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 242 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET PSMN1R4-100CSF/SOT80 05A/CCPAK1 246A magazzino
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: 1.000

Si SMD/SMT CCPAK1212 N-Channel 1 Channel 100 V 355 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 255 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement Reel, Cut Tape
Nexperia MOSFET SOT8000 N-CH 80V 505 A 3A magazzino
1.000In ordine
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: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 505 A 850 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 309 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT8000 N-CH 80V 495A
2.95511/06/2027 previsto
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: 1.000

Si SMD/SMT SOT8000A-12 N-Channel 1 Channel 80 V 495 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 336 nC - 55 C + 175 C 1.55 kW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel