Microchip Technology MOSFET mSiC™ a canale Nl MSC025SMA330B4N
Il MOSFET mSiC ™ a canale N di Microchip Technology MSC025SMA330B4N è un MOSFET di potenza discreto al carburo di silicio da 3300 V della famiglia MA. Il dispositivo utilizza un package Notch TO-247-4 e supporta la commutazione ad alta tensione in progetti di elettronica di potenza esigenti. Il MSC025SMA330B4N è stato sviluppato per ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza del sistema grazie a una bassa resistenza in stato attivo e a prestazioni di commutazione affidabili. Il MOSFET mSiC a canale N MSC025SMA330B4N di Microchip Technology offre inoltre basse capacità, bassa carica di gate, velocità di commutazione rapida e funzionamento stabile a temperature di giunzione elevate.
Il MOSFET mSiC a canale N Microchip MSC025SMA330B4N è ideale per applicazioni ad alta tensione che richiedono una commutazione di potenza SiC efficiente, compatta e robusta. Il supporto MOSFET è destinato ai sistemi di media e alta tensione per applicazioni nei settori aerospaziale, della mobilità elettrica, dell'industria e delle energie rinnovabili.
Caratteristiche
- MOSFET mSiC™ discreti a canale N della famiglia Microchip MA
- Bassa resistenza di conduzione per ridurre le perdite di conduzione e migliorare le prestazioni termiche
- Funzionamento ad alta frequenza con perdite di commutazione ridotte rispetto agli IGBTs e ai tradizionali MOSFET al silicio.
- Bassa capacità e carica di gate per una commutazione ad alta velocità efficiente
- Velocità di commutazione rapida supportata da una bassa resistenza interna del gate
- Diodo a corpo veloce e a basso recupero per un funzionamento affidabile di commutazione dura
- Resistenza alla valanga e tempo di resistenza al cortocircuito superiori, per una maggiore affidabilità del sistema
- Conforme a RoHS
Applicazioni
- Sistemi di alimentazione ad alta tensione
- Progetti di alimentazione per il settore aerospaziale
- Sistemi di e-mobility
- Sistemi di alimentazione industriali
- Energia rinnovabile
Specifiche
- Tensione di drenaggio-sorgente 3300 V
- Intervallo di tensione di gate drive da 18 V a 20 V
- Resistenza in stato attivo di 25 mΩ a V GS= 20 V
- Corrente di drain continua massima di 106 A
- Capacità di uscita di 186 pF
- Intervallo di temperatura di giunzione da -55 °C a +150 °C
- Package con incavo TO-247-4
Tipo di package
Pubblicato: 2026-07-14
| Aggiornato: 2026-07-16