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MSC025SMA330B4N

Name: Microchip MSC025SMA330B4N
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-MSC025SMA330B4N
Price: 168.35 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

579-MSC025SMA330B4N

N. produttore:

MSC025SMA330B4N

Produttore:

Microchip Technology

Descrizione:

MOSFET SiC MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Scheda dati:

MSC025SMA330B4N Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Microchip
Categoria prodotto:	MOSFET SiC
RoHS::
Package/involucro:	TO-247-4
Vds - Tensione di rottura drain-source:	3.3 kV
Id - corrente di drain continua:	104 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	25 mOhms
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 150 C
Marchio:	Microchip Technology
Confezione:	Tube
Tipo di prodotto:	SiC MOSFETS
Quantità colli di fabbrica:	30
Sottocategoria:	Transistors
Tipo:	Discrete mSiC MOSFET

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PCN

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Codici di conformità

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Non disponibile

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET mSiC™ a canale Nl MSC025SMA330B4N

Il MOSFET mSiC ™ a canale N di Microchip Technology MSC025SMA330B4N è un MOSFET di potenza discreto al carburo di silicio da 3300 V della famiglia MA. Il dispositivo utilizza un package Notch TO-247-4 e supporta la commutazione ad alta tensione in progetti di elettronica di potenza esigenti. Il MSC025SMA330B4N è stato sviluppato per ridurre le perdite di conduzione e migliorare l'efficienza del sistema grazie a una bassa resistenza in stato attivo e a prestazioni di commutazione affidabili. Il MOSFET mSiC a canale N MSC025SMA330B4N di Microchip Technology offre inoltre basse capacità, bassa carica di gate, velocità di commutazione rapida e funzionamento stabile a temperature di giunzione elevate.

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MSC025SMA330B4N

Produttore: Microchip Technology

Descrizione: MOSFET SiC MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4 Notch

Caratteristiche tecniche

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