Microchip Technology SRAM SPI/SDI/SQI 2 Mb 23AA02M/23LCV02M

Le SRAM SPI/SDI/SQI 2 Mb 23AA02M e 23LCV02M di Microchip Technology sono dispositivi di memoria ad accesso casuale accessibili tramite un bus seriale con interfaccia periferica (SPI). Le SRAM presentano una bassa potenza a 2048 K bit e operazioni di lettura/scrittura a tensione singola. I dispositivi supportano un’interfaccia seriale doppia (SDI) e un’interfaccia quadrupla seriale (SQI) per velocità dati più rapide e una frequenza di clock ad alta velocità di 143 MHz. La SRAM fornisce una logica del codice di correzione errore (ECC) integrata, che garantisce un'alta affidabilità. Le SRAM SPI/SDI/SQI 2 Mb 23AA02M e 23LCV02M di Microchip Technology offrono un’organizzazione a 256 x 8 bit con modalità byte, pagina e sequenziali per letture e scritture. La SRAM opera con cicli di lettura e scrittura illimitati e supporto di riserva batteria esterno. I dispositivi sono privi di alogeni e conformi a RoHS.

Caratteristiche

  • SRAM a bassa potenza da 2048K bit
  • Operazioni di lettura e scrittura a tensione singola:
    • Da 1,7 a 3,6 V (23AA02M)
    • Da 2,2 V a 3,6 V (23LCV02M)
  • Architettura di interfaccia seriale:
    • Compatibile con modalità SPI 0 e 3
    • Supporta SDI e SQI
  • Frequenza di clock ad alta velocità 143 MHz
  • Alta affidabilità con logica ECC (Error Correction Code) integrata
  • Basso consumo energetico
    • Corrente di lettura attiva massima 3 mA per SPI/SDI/SQI (a 40 MHz, 3,6 V)
    • Corrente di standby tipica 70 µA a +25 °C
  • Cicli di lettura e scrittura illimitati
  • Supporto di riserva batteria esterna
  • Tempo di scrittura zero
  • Azienda
    • 256 x 8 bit
    • Dimensione della pagina 32 byte o 256 byte selezionata dall’utente
  • Modalità byte, pagina e sequenziale per letture e scritture
  • Opzioni del package
    • PDIP a 8 conduttori, SOIC a 8 conduttori e TSSOP a 8 conduttori
    • PDIP a 14 conduttori, SOIC a 14 conduttori e TSSOP a 14 conduttori
  • Conforme a RoHS, senza alogeni

Specifiche

  • Tensione nominale assoluta 3,9 VCC
  • Corrente di lettura attiva massima 3 mA
  • Corrente di standby tipica 70 μA
  • Organizzazione memoria 256 K x 8
  • Tutti gli ingressi e le uscite w.r.t da -0,3 V a +0,3 VCC
  • Frequenza di clock massima 143 MHz
  • Capacità di ingresso 7 pF
  • Protezione ESD 2 kV
  • Intervallo di temperatura ambiente da -40 °C a +85 °C
  • Intervallo temperatura di conservazione da -65 °C a +150 °C
Pubblicato: 2024-04-01 | Aggiornato: 2024-05-17