Microchip Technology SRAM SPI/SDI/SQI 2 Mb 23AA02M/23LCV02M
Le SRAM SPI/SDI/SQI 2 Mb 23AA02M e 23LCV02M di Microchip Technology sono dispositivi di memoria ad accesso casuale accessibili tramite un bus seriale con interfaccia periferica (SPI). Le SRAM presentano una bassa potenza a 2048 K bit e operazioni di lettura/scrittura a tensione singola. I dispositivi supportano un’interfaccia seriale doppia (SDI) e un’interfaccia quadrupla seriale (SQI) per velocità dati più rapide e una frequenza di clock ad alta velocità di 143 MHz. La SRAM fornisce una logica del codice di correzione errore (ECC) integrata, che garantisce un'alta affidabilità. Le SRAM SPI/SDI/SQI 2 Mb 23AA02M e 23LCV02M di Microchip Technology offrono un’organizzazione a 256 x 8 bit con modalità byte, pagina e sequenziali per letture e scritture. La SRAM opera con cicli di lettura e scrittura illimitati e supporto di riserva batteria esterno. I dispositivi sono privi di alogeni e conformi a RoHS.Caratteristiche
- SRAM a bassa potenza da 2048K bit
- Operazioni di lettura e scrittura a tensione singola:
- Da 1,7 a 3,6 V (23AA02M)
- Da 2,2 V a 3,6 V (23LCV02M)
- Architettura di interfaccia seriale:
- Compatibile con modalità SPI 0 e 3
- Supporta SDI e SQI
- Frequenza di clock ad alta velocità 143 MHz
- Alta affidabilità con logica ECC (Error Correction Code) integrata
- Basso consumo energetico
- Corrente di lettura attiva massima 3 mA per SPI/SDI/SQI (a 40 MHz, 3,6 V)
- Corrente di standby tipica 70 µA a +25 °C
- Cicli di lettura e scrittura illimitati
- Supporto di riserva batteria esterna
- Tempo di scrittura zero
- Azienda
- 256 x 8 bit
- Dimensione della pagina 32 byte o 256 byte selezionata dall’utente
- Modalità byte, pagina e sequenziale per letture e scritture
- Opzioni del package
- PDIP a 8 conduttori, SOIC a 8 conduttori e TSSOP a 8 conduttori
- PDIP a 14 conduttori, SOIC a 14 conduttori e TSSOP a 14 conduttori
- Conforme a RoHS, senza alogeni
Specifiche
- Tensione nominale assoluta 3,9 VCC
- Corrente di lettura attiva massima 3 mA
- Corrente di standby tipica 70 μA
- Organizzazione memoria 256 K x 8
- Tutti gli ingressi e le uscite w.r.t da -0,3 V a +0,3 VCC
- Frequenza di clock massima 143 MHz
- Capacità di ingresso 7 pF
- Protezione ESD 2 kV
- Intervallo di temperatura ambiente da -40 °C a +85 °C
- Intervallo temperatura di conservazione da -65 °C a +150 °C
Note applicative
- Utilizzo di spazi esterni C30 per comunicare con SRAM seriale Off-Chip
- Utilizzo del compilatore C30 per interfacciare i dispositivi SRAM seriali con dsPIC33F e PIC24F
- Utilizzo del compilatore C32 per interfacciare i dispositivi SRAM seriali agli MCU PIC32
- Utilizzo del compilatore C18/HI-TECH C® per interfacciare i dispositivi SRAM seriali con i microcontroller PIC16F/PIC18F
- Bit-Banging bit delle modalità SDI e SQI delle SRAM seriali Microchip 23XX512/23XX1024
Pubblicato: 2024-04-01
| Aggiornato: 2024-05-17
