Microchip Technology SRAM 23AA04M/23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI
Le SRAM 23AA04M e 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI diMicrochip Technology sono dispositivi di memoria ad accesso casuale accessibili tramite un bus seriale compatibile con interfaccia periferica seriale (SPI). La SRAM presenta una bassa potenza a 4096 K bit e operazioni di lettura e scrittura a tensione singola. 23AA04M e 23LCV04M supportano un’interfaccia seriale doppia (SDI) e un’interfaccia quadrupla seriale (SQI) per velocità dati più rapide e una frequenza di clock ad alta velocità 143 MHz. Le SRAM forniscono una logica del codice di correzione errore (ECC) integrata, che garantisce un’elevata affidabilità. Le SRAM 23AA04M e 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI di Microchip Technology offrono un’organizzazione a 256 x 8 bit con modalità byte, pagina e sequenziali per letture e scritture. La SRAM opera con cicli di lettura/scrittura illimitati e supporto di riserva batteria esterno. I dispositivi sono privi di alogeni e conformi a RoHS.Caratteristiche
- SRAM a bassa potenza 4096 bit
- Operazioni di lettura e scrittura a tensione singola:
- Da 1,7 a 3,6 V (23A04M)
- Da 2,2 V a 3,6 V (23LCV04M)
- Architettura di interfaccia seriale:
- Compatibile con modalità SPI 0 e 3
- Supporta SDI e SQI
- Frequenza di clock ad alta velocità 143 MHz
- Alta affidabilità con logica ECC (Error Correction Code) integrata
- Cicli di lettura e scrittura illimitati
- Supporto di riserva batteria esterna
- Tempo di scrittura zero
- Basso consumo energetico
- Corrente di lettura attiva massima 6 mA (a 40 MHz, 3,6 V) per SPI/SDI/SQI
- Corrente di standby tipica di 140 + A a +25 °C
- Organizzazione 256 x 8 bit
- Dimensioni pagina 32 byte o 256 byte selezionata dall’utente
- Modalità byte, pagina e sequenziale per letture e scritture
- Opzioni del package
- PDIP a 8 conduttori, SOIC a 8 conduttori e TSSOP a 8 conduttori
- PDIP a 14 conduttori, SOIC a 14 conduttori e TSSOP a 14 conduttori
- Priva di alogeni e conforme a RoHS
Specifiche
- Tensione nominale assoluta 3,9 Vcc
- Corrente di lettura attiva massima 6 mA
- Corrente di standby tipica 140 μA
- Densità 4096 Kbits
- Da -0,3 V a Vcc+0,3 V tutti gli ingressi e le uscite w.r.t
- Frequenza di clock massima 143 MHz
- Protezione ESD 2 kV
- Intervallo di temperatura ambiente da -40 °C a +85 °C
- Intervallo temperatura di conservazione da -65 °C a +150 °C
Note applicative
- Utilizzo di spazi esterni C30 per comunicare con SRAM seriale Off-Chip
- Utilizzo del compilatore C30 per interfacciare i dispositivi SRAM seriali con dsPIC33F e PIC24F
- Utilizzo del compilatore C32 per interfacciare i dispositivi SRAM seriali agli MCU PIC32
- Utilizzo del compilatore C18/HI-TECH C® per interfacciare i dispositivi SRAM seriali con i microcontroller PIC16F/PIC18F
- Bit-Banging bit delle modalità SDI e SQI delle SRAM seriali Microchip 23XX512/23XX1024
Pubblicato: 2024-04-01
| Aggiornato: 2024-05-17
