Microchip Technology SRAM 23AA04M/23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI

Le SRAM 23AA04M e 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI diMicrochip Technology sono dispositivi di memoria ad accesso casuale accessibili tramite un bus seriale compatibile con interfaccia periferica seriale (SPI). La SRAM presenta una bassa potenza a 4096 K bit e operazioni di lettura e scrittura a tensione singola. 23AA04M e 23LCV04M supportano un’interfaccia seriale doppia (SDI) e un’interfaccia quadrupla seriale (SQI) per velocità dati più rapide e una frequenza di clock ad alta velocità 143 MHz. Le SRAM forniscono una logica del codice di correzione errore (ECC) integrata, che garantisce un’elevata affidabilità. Le SRAM 23AA04M e 23LCV04M 4 Mb SPI/SDI/SQI di Microchip Technology offrono un’organizzazione a 256 x 8 bit con modalità byte, pagina e sequenziali per letture e scritture. La SRAM opera con cicli di lettura/scrittura illimitati e supporto di riserva batteria esterno. I dispositivi sono privi di alogeni e conformi a RoHS.

Caratteristiche

  • SRAM a bassa potenza 4096 bit
  • Operazioni di lettura e scrittura a tensione singola:
    • Da 1,7 a 3,6 V (23A04M)
    • Da 2,2 V a 3,6 V (23LCV04M)
  • Architettura di interfaccia seriale:
    • Compatibile con modalità SPI 0 e 3
    • Supporta SDI e SQI
  • Frequenza di clock ad alta velocità 143 MHz
  • Alta affidabilità con logica ECC (Error Correction Code) integrata
  • Cicli di lettura e scrittura illimitati
  • Supporto di riserva batteria esterna
  • Tempo di scrittura zero
  • Basso consumo energetico
    • Corrente di lettura attiva massima 6 mA (a 40 MHz, 3,6 V) per SPI/SDI/SQI
    • Corrente di standby tipica di 140 + A a +25 °C
  • Organizzazione 256 x 8 bit
  • Dimensioni pagina 32 byte o 256 byte selezionata dall’utente
  • Modalità byte, pagina e sequenziale per letture e scritture
  • Opzioni del package
    • PDIP a 8 conduttori, SOIC a 8 conduttori e TSSOP a 8 conduttori
    • PDIP a 14 conduttori, SOIC a 14 conduttori e TSSOP a 14 conduttori
  • Priva di alogeni e conforme a RoHS

Specifiche

  • Tensione nominale assoluta 3,9 Vcc
  • Corrente di lettura attiva massima 6 mA
  • Corrente di standby tipica 140 μA
  • Densità 4096 Kbits
  • Da -0,3 V a Vcc+0,3 V tutti gli ingressi e le uscite w.r.t
  • Frequenza di clock massima 143 MHz
  • Protezione ESD 2 kV
  • Intervallo di temperatura ambiente da -40 °C a +85 °C
  • Intervallo temperatura di conservazione da -65 °C a +150 °C
Pubblicato: 2024-04-01 | Aggiornato: 2024-05-17