Infineon Technologies IGBT 1200 V Gen8 International Rectifier

Gli IGBT 1200 V Gen8 di International Rectifier presentano la tecnologia di trench gate Field-Stop di ultima generazione di IR, fornita in package TO-247 standard del settore, per offrire performance insuperate nel settore per applicazioni industriali e di risparmio energetico. La tecnologia Gen8 offre caratteristiche di disattivazione più progressiva, ideali per applicazioni di comando motori, riducendo al minimo il dv/dt per ridurre le interferenze elettromagnetiche e la sovratensione, aumentando affidabilità e robustezza. Questi IGBT Gen8 hanno valori nominali di corrente da 8 A fino a 60 A con un valore tipico di VCE(ON) di 1,7 V, e un valore nominale di corto circuito di 10 µs per ridurre la dissipazione di potenza, il che si traduce una maggiore densità di potenza e robustezza. Utilizzando la tecnologia a wafer sottile, gli IGBT Gen8 1200 V offrono maggiore resistenza termica e una temperatura di giunzione massima fino a 175 °C.

Caratteristiche

  • Low VCE(ON) for high efficiency in a motor drive applications
  • 10μs Short Circuit SOA increases margin for short circuit protection scheme
  • Positive VCE(ON) Temperature Coefficient for excellent current sharing in parallel operation
  • Square RBSOA and high ILM- rating for rugged transient performance
  • Lead-free, RoHS compliant

Applicazioni

  • Industrial motor drives
  • UPS
  • Solar inverters
  • Welding

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Codice prodotto Collettore a corrente continua a 25 °C Corrente di perdita gate-emettitore Pd - Dissipazione di potenza Scheda dati
IKW08N120CS7XKSA1 21 A 100 nA 106 W IKW08N120CS7XKSA1 Scheda dati
IKW15N120T2 30 A 600 nA 235 W IKW15N120T2 Scheda dati
IKW25N120T2 50 A 200 nA 349 W IKW25N120T2 Scheda dati
IKW40N120T2 75 A 200 nA 480 W IKW40N120T2 Scheda dati
Pubblicato: 2014-12-11 | Aggiornato: 2022-03-11