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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione

Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
Scheda dati
687A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.75 V - 20 V, 20 V 75 A 480 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT2 Tube


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
Scheda dati
225A magazzino
720In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 21 A 106 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 15A
Scheda dati
258A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 30 A 235 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
Scheda dati
310A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube