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Infineon Technologies Moduli a mezzo ponte XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFE

I moduli a mezzo ponte MOSFET XHP™ 2 CoolSiC™ di Infineon Technologies sono progettati per applicazioni che vanno da 1,7 kV a 3,3 kV e sono dotati di tre terminali CA e quattro terminali CC per massimizzare le capacità di trasporto di corrente. La semplice scalabilità delle dimensioni del telaio XHP 2, grazie al concetto modulare di base, rende questi moduli pronti per le future generazioni di chip e dispositivi a commutazione rapida, consentendo di ridurre al minimo le perdite. Questi moduli offrono basse perdite di commutazione e alta corrente densità di corrente, grazie a una progettazione a bassa induzione. Meccanicamente, i moduli forniscono alta densità di potenza in un package con un indice di tracciamento comparativo (CTI) superiore a 600, per garantire elevate distanze di dispersione e di sicurezza tra i contatti. Una piastra di base in AlSiC migliora le capacità di ciclo termico, rendendo questi moduli ideali per applicazioni impegnative.

Caratteristiche

  • Progettazione scalabile
  • Basse perdite di commutazione
  • Alta corrente/densità di potenza
  • Progettazione a bassa induttanza
  • Migliore affidabilità nella sua categoria
  • Polarità a canale N
  • Montaggio a vite
  • Package con CTI > 600
  • Configurazione doppia
  • Elevata distanza di dispersione e di sicurezza tra i contatti
  • Piastra di base AlSiC per una maggiore capacità di ciclo termico
  • Substrato AlN con bassa resistenza termica

Applicazioni

  • Trazione
  • Drive a media tensione (MV)
  • Soluzioni per veicoli commerciali
  • Convertitori ad alta potenza
  • Applicazione di commutazione ad alta frequenza

Specifiche

  • Tensione di rottura drain-source di 2,3 kV o 3,3 kV
  • Portata di corrente di drain continua da 500 A a 2,000 A
  • Intervallo di tesione di soglia gate-source da 3,45 V a 5,15 V
  • Opzioni di tensione sorgente gate da -7 V/+20 V o da -10 V a +23 V
  • Opzione di tensione diretta di 4,6 V o 5 V
  • Intervallo di resistenza tra drain e sorgente da 2,4 mΩ a 4,8 mΩ
  • Dissipazione di potenza di 20 mW
  • Portata del tempo di ritardo di accensione tipico da 210 ns a 490 ns
  • Portata del tempo di incremento da 95 ns a 170 ns
  • Portata del tempo di ritardo di spegnimento tipico da 30 ns a 380 ns
  • Portata del tempo di riduzione da 60 ns a 105 ns
  • Intervallo di temperatura di funzionamento da -40 °C a +150°/+175 °C
  • Dimensioni 144 mm x 99,8 mm x 40 mm (LxLxA)

Risorse

  • AN2024-03 - Nota sull'applicazione e sull'assemblaggio
Pubblicato: 2024-07-19 | Aggiornato: 2025-10-28