Infineon Technologies MOSFET OptiMOS™ 5 FET lineare 2
I MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2 di Infineon Technologies sono ottimizzati per applicazioni hot-swap ed e-fuse, offrendo prestazioni eccezionali con una resistenza allo stato attivo RDS(on) molto bassa e un' area di funzionamento sicura (SOA) ampia. Questi MOSFET a canale N, di livello normale, sono sottoposti a test a valanga 100% per affidabilità e funzionalità senza piombo in testa a rivestimento garantendo RoHS conformità. Inoltre, i MOSFET sono privi di alogeni secondo le norme IEC61249-2-21, rendendoli ecologici per applicazioni impegnative.
Caratteristiche
- Ideale per applicazioni hot-swap e fusibili elettronici
- Altissima resistenza on-resistance RDS(on)
- Ampio area di funzionamento sicura SOA
- Canale N, livello normale
- Testato al 100% contro le valanghe
- Placcatura conduttori senza piombo; conforme alla direttiva RoHS
- Senza alogeni secondo la norma IEC61249-2-21
Applicazioni
- Applicazioni hot-swap
- Applicazioni per fusibili elettronici
Schema di circuito di applicazione
Pubblicato: 2024-12-06
| Aggiornato: 2024-12-22