MOSFET OptiMOS™ 5 FET lineare 2

I MOSFET OptiMOS™ 5 Linear FET 2 di Infineon Technologies sono ottimizzati per applicazioni hot-swap ed e-fuse, offrendo prestazioni eccezionali con una resistenza allo stato attivo RDS(on) molto bassa e un' area di funzionamento sicura (SOA) ampia. Questi MOSFET a canale N, di livello normale, sono sottoposti a test a valanga 100% per affidabilità e funzionalità senza piombo in testa a rivestimento garantendo RoHS conformità. Inoltre, i MOSFET sono privi di alogeni secondo le norme IEC61249-2-21, rendendoli ecologici per applicazioni impegnative.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 5.674A magazzino
2.00002/03/2026 previsto
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Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1.699A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
12.730In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel