Infineon Technologies Scheda di valutazione EVAL-2KW-SIC-IH per riscaldamento a induzione
La scheda di valutazione EVAL-2KW-SIC-IH diInfineon Technologies è una piattaforma ad alte prestazioni progettata per presentare la famiglia di MOSFET CoolSiC™ 650 V G2 per applicazioni di riscaldamento a induzione. Progettata per zone di cottura fino a 2 kW, la scheda presenta una topologia di inverter a mezzo ponte che utilizza MOSFET CoolSiC™ e circuiti integrati EiceDRIVER™ di Infineon per offrire un'efficienza eccezionale, una rapida capacità di commutazione e prestazioni termiche robuste. La EVAL-2KW-SIC-IH supporta interfacce di controllo standard basate su microcontrollori e include funzionalità di protezione complete, quali protezioni da sovracorrente sovratensione e termiche. Ideale per piani cottura a induzione, sistemi di riscaldamento industriali e altri progetti di inverter ad alta frequenza, questa scheda di valutazione consente agli ingegneri di accelerare lo sviluppo e ottimizzare le soluzioni di riscaldamento a induzione di nuova generazione utilizzando la tecnologia SiC.
Caratteristiche
- Dimostra il funzionamento dei MOSFET CoolSiC G2 da 650 V e dei circuiti integrati EiceDRIVER™ con traslazione di livello in applicazioni di riscaldamento a induzione risonante.
- Dimostra la capacità dei MOSFET CoolSiC G2 650 V di operare in una topologia risonante a mezzo ponte per frequenze di commutazione fino a 150 kHz
- Dimostra un'efficienza ultra elevata del 99,7% con una potenza di uscita di 2 kW.
- Raggiunge un'efficienza superiore dell'1,3% all'1,8% con un MOSFET CoolSiC G2 da 650 V rispetto alle soluzioni IGBT
- Bassa resistenza di conduzione che rimane stabile e riproducibile anche nella produzione su larga scala
Applicazioni
- Riscaldamento a induzione
- Sistemi di conservazione dell'energia
- Drive industriali
- Energie rinnovabili
- Controllo del motore e drive
- Gruppi statici di continuità (UPS)
Specifiche
- Tensione di alimentazione ausiliaria 18 V
- Segnale di ingresso PWM 5 V
- Intervallo tensione di alimentazione principale da 0 V a 340 V CC
- Intervallo della frequenza di commutazione da 100 kHz a 140 kHz
- Intervallo della potenza principale da 0 W a 2.000 W
- Intervallo di corrente risonante in uscita da 0 ARMS a 20 ARMS
Panoramica
Diagramma a blocchi
Componenti supportati
Infineon Technologies MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™
Sfrutta le capacità di prestazioni del carburo di silicioconsentendo una minore perdita di energia.
Pubblicato: 2025-12-15
| Aggiornato: 2026-01-11