MOSFET al carburo di silicio 650 V G2 CoolSiC™

I MOSFET al carburo di silicio CoolSiC™ 650 V G2 di Infineon Technologies sfruttano le capacità delle prestazioni del carburo di silicio consentendo una minore perdita di energia che si traduce in una maggiore efficienza durante la conversione di potenza. I MOSFET Infineon CoolSiC 650 V G2 offrono vantaggi per varie applicazioni dei semiconduttori quali il fotovoltaico, la conservazione di energia CC EV, la carica di azionamenti motori e gli alimentatori industriali. Una stazione di ricarica rapida CC per veicoli elettrici dotata di CoolSiC G2 consente una perdita di potenza fino al 10% in meno rispetto alle generazioni precedenti, consentendo al contempo una maggiore capacità di ricarica senza compromettere i fattori di forma.

Risultati: 53
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 723A magazzino
Min: 1
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Nastrati: 1.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC + 175 C 124 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 709A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 650 V 34.7 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 798A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

TOLL-8 650 V 75 mOhms
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 676A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT LHSOF-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 141 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 86A magazzino
240In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 218A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.915A magazzino
75023/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 154 A 13.1 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 651 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2 6.405A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.748A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET 650 V generation 2 in D2PAK 7pin package, 10/26/33/60 m? 980A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.000

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 33 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 309A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 94 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 499 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 590A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 750

SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 97 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 394 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.487A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.818A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 20 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 1.048A magazzino
1.800In ordine
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 82 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling 1.664A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.307A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.785A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.773A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 1.800

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.738A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.748A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.972A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.349A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 41.4 A 73 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFET SiC SILICON CARBIDE MOSFET 1.850A magazzino
2.00016/04/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Nastrati: 2.000

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 20 mOhms Enhancement CoolSiC