Torna a Infineon Technologies

Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V

I MOSFET CoolSiC™ G2 in carburo di silicio (SiC) da 1400V di Infineon Technologies sono disponibili in un package a rifusione TO-247PLUS-4. Questi MOSFET di Infineon sono ideali per applicazioni ad alta potenza come la carica di veicoli elettrici (EV), i sistemi di accumulo di energia a batteria (BESS), veicoli commerciali / macchine edili / macchine agricole (CAV) e altro ancora. La tecnologia MOSFET CoolSiC™ G2 a 1400V è una tecnologia all'avanguardia che offre prestazioni termiche migliorate, maggiore densità di potenza e maggiore affidabilità. Il package presenta capacità di rifusione (saldatura per rifusione possibile per 3 volte), permettendo una resistenza termica inferiore.

Caratteristiche

  • Perdite di commutazione molto basse
  • Il retro del package è adatto per la saldatura per rifusione a +260°C, per 3 volte
  • Funzionamento in sovraccarico fino a Tvj = +200°C
  • Tempo di resistenza a corto circuito 2 µs
  • Tensione di soglia del gate di riferimento di 4,2V
  • Densità di potenza e potenza di uscita del sistema aumentate
  • Resistenti all'accensione parassita, può essere applicata una tensione di gate di spegnimento di 0V
  • Diodo robusto per commutazione rigida
  • Resistenti all'effetto Miller
  • .Tecnologia .XT interconnection per offrire le migliori prestazioni termiche della categoria
  • Efficienza complessiva migliorata
  • Facile collegamento in parallelo
  • Resistenti ai sovraccarichi transitori e a condizioni di effetto valanga
  • Larghi pin di potenza da 2 mm per capacità di alta corrente
  • Pin saldabili resistivi per connessioni dirette alle barre collettrici
  • Package TO247PLUS (PG-TO247-4-U08) con un'elevata distanza di dispersione di 10,8 mm e CTI ≥ 600V
  • Qualificati per applicazioni industriali secondo JEDEC47/20/22
  • Dispositivo ecologico, senza piombo, senza alogeni e conforme alla direttiva RoHS

Applicazioni

  • CAV
  • Carica EV
  • Gruppi di continuità (UPS) online/industriali
  • Inverter di stringa
  • BESS
  • Unità di azionamento per uso generico (GPD)

Specifiche

  • Tensione massima drain-source 1400V
  • Tensione inversa massima drain-source 5,5V
  • Intervallo corrente CC di drain continua
    • Da 147A a 207A per IMYR140R008M2H
    • Da 71A a 100A per IMYR140R019M2H
  • Corrente di drain di picco 213A (IMYR140R019M2H) o 441A (IMYR140R008M2H)
  • Intervalli di tensione gate-source massimi
    • Intervallo di tensione transitoria da -10V a 25V
    • Intervallo di tensione statica da -7V a 23V
  • Energia dell'effetto valanga
    • 1159mJ singolo impulso e 5,8mJ impulsi ripetitivi per IMYR140R008M2H
    • 506mJ singolo impulso e 2,5mJ impulsi ripetitivi per IMYR140R019M2H
  • Tempo massimo di cortocircuito 2µs
  • Dissipazione di potenza
    • Da 360W a 710W per IMYR140R008M2H
    • Da 192W a 385W per IMYR140R019M2H
  • Intervalli di tensione di gate consigliati
    • Da 15V a 18V per IMYR140R008M2H
    • Da -5V a 0V per IMYR140R019M2H 
  • Resistenza in stato attivo drain-source massima 23,4mΩ (IMYR140R008M2H) o 53,8mΩ (IMYR140R019M2H)
  • Tensione di soglia gate-source massima 5,1V
  • Corrente di drain massima con tensione di gate zero 300µA (IMYR140R019M2H) o 690µA (IMYR140R008M2H)
  • Corrente di dispersione di gate massima ±120nA
  • Transconduttanza diretta tipica 27S (IMYR140R019M2H) o 63S (IMYR140R008M2H)
  • Resistenza di gate interna tipica 2,1Ω (IMYR140R019M2H) o 4,4Ω (IMYR140R008M2H)
  • Capacità tipiche
    • 2860pF (IMYR140R019M2H) o 6450pF (IMYR140R008M2H) in ingresso
    • 99pF (IMYR140R019M2H) o 225pF (IMYR140R008M2H) in uscita
    • Trasferimento inverso 9pF (IMYR140R019M2H) o 20pF (IMYR140R008M2H)
  • Carica di uscita tipica 172nC (IMYR140R019M2H) o 394nC (IMYR140R008M2H)
  • Capacità di uscita effettiva tipica
    • Relativa all'energia 197pF (IMYR140R019M2H) o 447pF (IMYR140R008M2H)
    • Relativa al tempo 215pF (IMYR140R019M2H) o 493pF (IMYR140R008M2H)
  • Carica totale di gate 90nC (IMYR140R019M2H) o 203nC (IMYR140R008M2H)
  • Carica di gate di plateau 30nC (IMYR140R019M2H) o 67nC (IMYR140R008M2H)
  • Carica gate-to-drain 18nC (IMYR140R019M2H) o 40nC (IMYR140R008M2H)
  • Tempi tipici
    • Ritardo di accensione 9ns (IMYR140R019M2H) o 31ns (IMYR140R008M2H)
    • Tempo di salita 4,7ns (IMYR140R019M2H) o 17ns (IMYR140R008M2H)
    • Ritardo di accensione 23ns (IMYR140R019M2H) o 80ns (IMYR140R008M2H)
    • Tempo di caduta 9,5ns (IMYR140R019M2H) o 34ns (IMYR140R008M2H)
  • Energia tipica a +25°C
    • Accensione 548µJ (IMYR140R019M2H) o 2720µJ (IMYR140R008M2H)
    • Spegnimento 120µJ (IMYR140R019M2H) o 1980µJ (IMYR140R008M2H)
    • Commutazione totale 918µJ (IMYR140R019M2H) o 5100µJ (IMYR140R008M2H)
  • Carica di recupero diretta tipica del MOSFET 0,13µC (IMYR140R019M2H) o 0,18µC (IMYR140R008M2H) a+25°C
  • Corrente di recupero diretta di picco tipica del MOSFET 9,6A (IMYR140R019M2H) o 16A (IMYR140R008M2H) a +25 °
  • Energia di recupero diretta di picco tipica del MOSFET pari a 250µJ (IMYR140R019M2H) o 400µJ (IMYR140R008M2H) a +25°C
  • Resistenza termica
    • Da giunzione ad ambiente massima 62 K/W
    • Intervallo da giunzione a case del diodo/MOSFET da 0,21K/W a 0,39K/W
  • Temperatura massima di saldatura +260°C
  • Durata di vita fino a 5000 cicli

Scheda dati

Schema

Schema - Infineon Technologies MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V
Pubblicato: 2025-09-25 | Aggiornato: 2025-11-03