MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V

I MOSFET CoolSiC™ G2 in carburo di silicio (SiC) da 1400V di Infineon Technologies sono disponibili in un package a rifusione TO-247PLUS-4. Questi MOSFET di Infineon sono ideali per applicazioni ad alta potenza come la carica di veicoli elettrici (EV), i sistemi di accumulo di energia a batteria (BESS), veicoli commerciali / macchine edili / macchine agricole (CAV) e altro ancora. La tecnologia MOSFET CoolSiC™ G2 a 1400V è una tecnologia all'avanguardia che offre prestazioni termiche migliorate, maggiore densità di potenza e maggiore affidabilità. Il package presenta capacità di rifusione (saldatura per rifusione possibile per 3 volte), permettendo una resistenza termica inferiore.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 225A magazzino
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CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 209A magazzino
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CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 207A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 238A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 224A magazzino
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 11A magazzino
24023/04/2026 previsto
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Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
24026/03/2026 previsto
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CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
22419/02/2026 previsto
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CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
24019/02/2026 previsto
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CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
24019/02/2026 previsto
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CoolSiC