MOSFET CoolSiC™ G2 SiC da 1400V

I MOSFET CoolSiC™ G2 in carburo di silicio (SiC) da 1400V di Infineon Technologies sono disponibili in un package a rifusione TO-247PLUS-4. Questi MOSFET di Infineon sono ideali per applicazioni ad alta potenza come la carica di veicoli elettrici (EV), i sistemi di accumulo di energia a batteria (BESS), veicoli commerciali / macchine edili / macchine agricole (CAV) e altro ancora. La tecnologia MOSFET CoolSiC™ G2 a 1400V è una tecnologia all'avanguardia che offre prestazioni termiche migliorate, maggiore densità di potenza e maggiore affidabilità. Il package presenta capacità di rifusione (saldatura per rifusione possibile per 3 volte), permettendo una resistenza termica inferiore.

Risultati: 11
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Scheda dati
162A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Scheda dati
146A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Scheda dati
136A magazzino
24002/07/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Scheda dati
76A magazzino
480In ordine
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Scheda dati
575A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
Scheda dati
203A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
Scheda dati
224A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Scheda dati
189A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
Scheda dati
230A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC SIC DISCRETE
Scheda dati
220A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Scheda dati
24006/08/2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 240

Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC