Infineon Technologies CI compatti EiceDRIVER™ X3

I circuiti integrati compatti EiceDRIVER™ X3 diInfineon Technologies sono driver di porta a canale singolo isolato galvanicamente ad alte prestazioni, progettati per pilotare IGBT, MOSFET e MOSFET SiC. I circuiti integrati gate driver di Infineon sono disponibili in un package da 150 mil, 8 pin (1ED314xMU12F) o in un package da 300 mil, 8 pin (1ED314xMC12H). I componenti forniscono una corrente di uscita tipico fino a 6,5 A. I pin logici di ingresso operano su un ampio intervallo di tensione in ingresso da 3 V a 6,5 V utilizzando livelli di soglia CMOS per supportare i microcontrollori da 3,3 V. La tecnologia del trasformatore senza nucleo realizza il trasferimento dei dati attraverso la barriera di isolamento. Tutte le varianti dispongono di blocco per sottotensione all'ingresso e all'uscita (UVLO) e di arresto attivo.

Caratteristiche

Driver di gate basato su trasformatore senza nucleo isolato galvanicamente a canale singolo
Uscite separate, opzioni di uscita UVLO riferita a GND2 o uscita UVLO regolabile
Per l'uso con IGBT e MOSFET Si/SiC da 600 V / 650 V / 1.200 V / 1.700 V / 2.300 V
Fino a 6,5 A di corrente di picco in uscita tipica
Ritardo di propagazione di 40 ns con corrispondenza (skew) da parte a parte di 7 ns
Tensione di alimentazione di uscita massima assoluta 35 V
Immunità CMTI (migliore della categoria) di modo comune transitorio >300 kV/µs
Spegnimento attivo e blocco dei cortocircuiti

Package DSO-8 da 150 mil e LDSO-8 da 300 mil con CTI > 600
Tensione di alimentazione di ingresso 3,3 V e 5 V
Ideali per il funzionamento a temperature ambiente elevate e in applicazioni a commutazione rapida
Certificazione UL 1577 VISO = 3,0 kVRMS per 1 minuto (file E311313) per 1ED314xMU12F
Certificazione UL 1577 VISO =5,7 kVRMS per 1 minuto (File E311313) e IEC 60747-17 (VIORM = 1767 V) (pianificato) per 1ED314xMC12H
Qualificata per applicazioni industriali secondo JEDEC47/20/22