Infineon Technologies Scheda di valutazione del driver gate EVAL1ED3142MC12HSIC
La scheda di valutazione EVAL1ED3142MC12HSIC del driver gate di Infineon Technologies è progettata per valutare il circuito integrato del driver gate isolato 1ED3142MC12H in configurazione a semiponte. Questa scheda include due IMZA120R020M1H, due MOSFET CoolSiC™ 1.200V SiC Trench 1ED3142MC12H e un alimentatore integrato isolato galvanicamente generato con il driver per trasformatori EiceDRIVER™ Power 2EP130R. L'utente può sostituire il circuito integrato driver gate per utilizzare questa scheda per valutare altri circuiti integrati della famiglia 1ED314xMC12H di Infineon Technologies.
Caratteristiche
- CI driver gate isolati 1ED3142MC12H
- MOSFET SiC IMZA120R020M1H1.200 V
- Circuito integrato driver trasformatore 2EP130R
- Protezione UVLO 12,5V/13,6V con isteresi
- Uscite separate
- Facilità di misurazione e configurazione
- Alimentazione integrata
- Configurazione a semiponte
- Interruttori non assemblati
Applicazioni
- Sistemi di conservazione dell'energia per batterie (BESS)
- Carica EV
- Soluzioni di alimentazione con guida DIN
- Azionamenti motori e controlli industriali
- Azionamenti motori per uso generale
- Fotovoltaico
- Controllo motori
Diagramma a blocchi
Prodotti correlati
Infineon Technologies CI compatti EiceDRIVER™ X3
Circuiti integrati gate driver a canale singolo con isolamento galvanico per IGBT, MOSFET e MOSFET SiC
Infineon Technologies MOSFET trench SiC da 1200 V CoolSiC™
Ottimizzato per fornire le perdite più basse nell'applicazione e la massima affidabilità di funzionamento.
Infineon Technologies CI driver per trasformatori EiceDRIVER™
CI driver per trasformatori a ponte intero in un contenitore compatto TSSOP8.
Strumento di sviluppo
Infineon Technologies Scheda di valutazione EVAL-DCLINK-DPT
Supporta il test a doppio Pulse (DPT) di dispositivi a semiconduttore di potenza come IGBTs e MOSFET SiC.
Pubblicato: 2026-01-16
| Aggiornato: 2026-02-02