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Diodes Incorporated MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

Il MOSFET a doppio canale N in modalità di potenziamento DMTH64M2LPDW di Diodes Incorporated è progettato per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza. Il DMTH64M2LPDW integra due MOSFET in un unico package PowerDI® 5 mm x 6 mm, offrendo dimensioni compatte ed eccellenti prestazioni termiche. Ogni canale presenta una bassa resistenza allo stato attivo [RDS(on)] e un'elevata capacità di corrente, ideale per la rettifica sincrona nei convertitori CC-CC, la gestione dell'alimentazione nei sistemi informatici e i circuiti di protezione delle batterie. Con una tensione drain-source massima di 60 V e una corrente drain continua fino a 90 A, questo dispositivo Diodes Inc garantisce una commutazione rapida e basse perdite di conduzione. La progettazione robusta, unita alla bassa carica di gate e all'elevata energia di valanga, garantisce un funzionamento affidabile in ambienti difficili come schede madri di server, schede grafiche e dispositivi elettronici portatili.

Caratteristiche

  • Test di commutazione induttiva senza morsetti (UIS) al 100% in produzione: garantisce un'applicazione finale più affidabile e robusta
  • Package termicamente efficiente - applicazioni con funzionamento più fresco
  • Alta efficienza di conversione
  • RDS(ON) basso – riduce al minimo le perdite in stato attivo
  • Bassa capacità di ingresso
  • Velocità di commutazione elevata
  • Profilo del package <1,1 mm="" -="" ideale="" per="" applicazioni="">
  • Completamente privo di piombo e conforme a RoHS
  • Dispositivo ecologico, esente da alogeni e antimonio

Applicazioni

  • Caricamento wireless
  • Convertitori CC-CC
  • Gestione dell'energia

Specifiche

  • Tensione massima drain-source di 60 V
  • Tensione massima gate-source di ±20 V
  • 360 A di corrente di drain pulsata massima
  • Corrente diretta massima continua del diodo del corpo di 90 A
  • 360 A di corrente diretta massima pulsata del diodo del corpo
  • 49A corrente massima di valanga
  • Energia di valanga massima 125 mJ
  • Portata della dissipazione di potenza totale da 2,9 W a 74 W
  • Caratteristiche Off
    • Tensione di rottura drain-source minima di 60 V
    • Corrente di drain con tensione di gate pari a zero massima di 1 µA
    • Dispersione gate-source massima di ±100nA
  • Caratteristiche On
    • Intervallo di tensione di soglia del gate da 1,2 V a 2,2 V
    • Intervallo di resistenza statica drain-source massima compreso tra 5,0 mΩ e 7,8 mΩ
    • Tensione diretta massima del diodo 1,2 V
  • Resistenza termica
    • 51°C/W giunzione-ambiente
    • 2,04°C/W giunzione-involucro
  • Caratteristiche dinamiche
    • Capacità di ingresso tipica di 2963 pF
    • Capacità di uscita tipica di 1070 pF
    • Capacità di trasferimento inverso tipica di 68 pF
    • 0,97 Ω tipica resistenza del gate
    • Intervallo di carica totale tipico del gate compreso tra 25 nC e 48 nC
    • Carica tipica gate-source di 8,5 nC
    • Carica tipica gate-drain di 7,2 nC
    • Tempo di ritardo di accensione tipico di 5,2 ns
    • Tempo di incremento di accensione tipico di 22 ns
    • Tempo di ritardo di spegnimento tipico di 55 ns
    • Tempo di riduzione di spegnimento tipico di 38 ns
    • Tempo di recupero inverso tipico di 56 ns
    • Carica di recupero inverso tipica di 141nC
  • Intervallo di temperatura di funzionamento da -55 °C a +175 °C
  • Package PowerDI5060-8/SWP (tipo UXD)
  • Materiale plastico stampato con classificazione UL 94V-0, composto di stampaggio verde
  • Finitura del terminale in stagno opaco, ricotto su un telaio di rame, saldabile secondo MIL-STD-202, metodo 208
Pubblicato: 2025-10-22 | Aggiornato: 2025-10-31