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DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 2.12 EUR
Availability: OutOfStock

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N. Mouser:

621-DMTH64M2LPDW-13

N. produttore:

DMTH64M2LPDW-13

Produttore:

Diodes Incorporated

Descrizione:

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Ciclo di vita:

Nuovo prodotto:

Novità da questo produttore.

Scheda dati:

DMTH64M2LPDW-13 Scheda dati (PDF)

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Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	Diodes Incorporated
Categoria prodotto:	MOSFET
RoHS::
Tecnologia:	Si
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Package/involucro:	PowerDI5060-8
Polarità transistor:	N-Channel
Numero di canali:	2 Channel
Vds - Tensione di rottura drain-source:	60 V
Id - corrente di drain continua:	90 A
Rds On - Drain-source sulla resistenza:	7.8 mOhms
Vgs - Tensione gate-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:	2.2 V
Qg - Carica del gate:	48 nC
Temperatura di lavoro minima:	- 55 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:	74 W
Modalità canale:	Enhancement
Confezione:	Reel
Confezione:	Cut Tape
Marchio:	Diodes Incorporated
Configurazione:	Dual
Tempo di caduta:	38 ns
Tipo di prodotto:	MOSFETs
Tempo di salita:	22 ns
Serie:	DMTH64M2LPDW
Quantità colli di fabbrica:	2500
Sottocategoria:	Transistors
Tipo di transistor:	1 N-Channel
Ritardo di spegnimento tipico:	55 ns
Tipico ritardo di accensione:	5.2 ns

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TARIC:: 8541290000

MOSFET a doppio canale N in modalità E DMTH64M2LPDW

Il MOSFET a doppio canale N in modalità di potenziamento DMTH64M2LPDW di Diodes Incorporated è progettato per applicazioni di commutazione di potenza ad alta efficienza. Il DMTH64M2LPDW integra due MOSFET in un unico package PowerDI^®5 mm x 6 mm, offrendo dimensioni compatte ed eccellenti prestazioni termiche. Ogni canale presenta una bassa resistenza allo stato attivo [RDS(on)] e un'elevata capacità di corrente, ideale per la rettifica sincrona nei convertitori CC-CC, la gestione dell'alimentazione nei sistemi informatici e i circuiti di protezione delle batterie. Con una tensione drain-source massima di 60 V e una corrente drain continua fino a 90 A, questo dispositivo Diodes Inc garantisce una commutazione rapida e basse perdite di conduzione. La progettazione robusta, unita alla bassa carica di gate e all'elevata energia di valanga, garantisce un funzionamento affidabile in ambienti difficili come schede madri di server, schede grafiche e dispositivi elettronici portatili.